Germanio Amorfo
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1. Cristalização do germanio amorfo pelo aluminio : caracterização por espectroscopia Raman / Aluminium induced crystallization of the amorphous germanium : characterization for Raman spectroscopy
This research work studies the microscopic mechanisms leading to the low-temperature crystallization of amorphous germanium (a-Ge) films induced by aluminum. The crystallization process was studied in Al-doped samples and also in multi-layer structures possessing an Al layer sandwiched between the substrate and the a-Ge film. In the case of Al-doped samples,
Publicado em: 2007
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2. Ressonância paramagnética em germânio amorfo hidrogenado e silício microcristalino hidrogenado
In this thesis, we present for the first time light-induced electron spin resonance, LESR, measurements in a-Ge:H. The signal consists of two different centers: 1) assigned to electrons trapped in conduction band tails; and 2) holes trapped in valence band tails. We also have performed a recombination kinetics study based on the LESR time response. We have f
Publicado em: 2002
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3. Fotocondutividade dependente da temperatura em filmes finos de germanio amorfo hidrogenado dopado com galio e arsenio
Nesta tese apresentamos um estudo da dependência da fotocondutividade, I P C, com a temperatura, T, em filmes finos de a-Ge:H intrínsecos e dopados tipo p, com gálio e tipo n, com arsênio, crescidas por rf-sputtering no Laboratório de Pesquisas Fotovoltáicas do IFGW/Unicamp. Foram realizados quatro tipos de medidas nas amostras: (i) I P C em função d
Publicado em: 2001
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4. Influencia do hidrogenio nas propriedades opticas, estruturais e termomecanicas de germanio armofo hidrogenado
Estudamos a influência do hidrogênio nas propriedades ópticas, estruturais e termomecânicas de filmes finos de germânio amorfo hidrogenado, a-Ge:H, preparados por rf-sputtering. A estrutura das ligações entre o germânio e o hidrogênio foi estudada através do espectro de absorção na região do infravermelho. As amostras apresentam as bandas waggin
Publicado em: 1998
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5. Propriedades optico-estruturais de filmes de a-Ge:H crescidos por Sputtering assistido por feixe de ions
Neste trabalho, apresentamos resultados experimentais de filmes de germânio amorfo hidrogenado, que são relacionados com a influência de parâmetros de deposição como temperatura do substrato, hidrogenação da amostra, taxa de deposição e bombardeamento in situ. As amostras foram depositadas pela técnica de Ion Assisted Ion Beam Sputtering, na qual
Publicado em: 1998
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6. Dopagem tipo-n e mudanças estruturais induzidas pelo nitrogenio de filmes de germanio amorfo hidrogenado
In this work several informations are presented and discussed about structura1 and optoelectronic properties of doped samples of hydrogenated amorphous germanium (a-Ge:H) using P, As (solid sources) and N (using NH3) as doping impurities. In addition, we studied structura1 changes of a-Ge:H induced by N, in the nitrogen concentration range of ~2-6 at. %. The
Publicado em: 1998
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7. Ligas amorfas de silicio e germanio hidrogenadas e materiais relacionados
Neste trabalho estudamos as ligas amorfas de silício e germânio hidrogenadas (a-SixGe1-x:H), o germânio amorfo hidrogenado (a-Ge:H), além do silício amorfo hidrogenado (a-Si:H). Apresentamos resultados nas propriedades estruturais e opto-eletrônicas de ligas crescidas por r.f. sputtering, ricas em germânio (x £ 0.25). Encontramos que para x £ 0.1 a
Publicado em: 1994
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8. Estudo das propriedades estruturais e optoeletronicas de filmes finos de germanio amorfo hidrogenado
In this work experimental data related to micro void structure and hydrogenation of hydrogenated amorphous germanium (a-Ge:H) thin films are presented. The samples were grown by rf reactive sputtering (13.56MHz) and were studied as grown. The main characterization techniques were infrared spectroscopy and small angle X-ray scattering (SAXS). This work is not
Publicado em: 1994
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9. Propriedades estruturais do nitreto de germanio amorfo hidrogenado : (a-GeNx:H)
In this work we report optical and structural properties of hydrogenated germanium nitrogen alloys (a-GeNx:H). These films were prepared by the rf-reactive sputtering technique, using a crystalline germanium target in Argon + Ammonia or Argon + Nitrogen + Hydrogen (or Deuterium) atmosphere. Its properties are strongly dependent on the deposition parameters.
Publicado em: 1994
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10. Propriedades estruturais e optoeletronicas de ligas amorfas de germanio
Neste trabalho apresentamos novos resultados relativos às propriedades semicondutoras de ligas amorfas hidrogenadas de germânio. Além das condições de preparação, reportamos também suas propriedades ópticas e de transporte. em função da composição dos materiais. Pela primeira vez é apresentado um estudo sobre as propriedades estruturais e optoe
Publicado em: 1989