Growth Mbe
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1. Crescimento, estrutura e magnetismo de filmes ultrafinos de Ni depositados sobre Pd(100)
In this work, the growth mode, the structure and the magnetic behavior of ultrathin Ni films epitaxially grown over Pd(100) were investigated using in-situ experimental techniques ass RHEED, LEED, AES, MBE and MOKE, and ex-situ VSM. The objective was to study the influence of the stress induced by the lattice parameter mismatch of the materials (10,4%), the
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/02/2012
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2. Modelagem da formação de estruturas tridimensionais em crescimento epitaxial / Modelling of three-dimensional structures formation in epitaxial growth
Nesta tese estudamos o surgimento de estruturas tridimensionais auto-arranjadas em superfícies crescidas por epitaxia por feixe molecular (MBE). Foram utilizadas simulações de Monte Carlo cinético para a descrição de dois casos específicos dessas morfologias: formação de morros e de nucleação de ilhas 3d de escalas nanométricas conhecidas como po
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/07/2011
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3. Construção e caracterização de célula solar tipo barreira Schottky CdTe/Al / Construction and caracterization of Schottky barrier solar cells CdTe/Al
In this work the techniques of hot wall epitaxy (HWE) and molecular beam epitaxy (MBE) on thin films of CdTe (cadmium telluride) were used in order to manufacture a prototype solar cell type Schottky barrier. The films were produced by evaporation of a solid alloy of CdTe, varying two parameters of deposition: the growth time and substrate temperature. In th
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2011
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4. Estudo de pontos quânticos auto-organizados de InAs por fotoluminescência
Semiconductor structures with high confinement degree, such as quantum wells, quantum wires and quantum dots, have been of great interest, both from the technological point of view and for basic research. Self-Assembled Quantum Dots (SAQD`s) appear spontaneously, as a consequence of the lattice mismatch of the material deposited in relation to the substrate,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/02/2010
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5. Crescimento de nanofios auto-sustentados de arseneto de índio por epitaxia por feixes moleculares
This Thesis reports the experimental and theoretical works related to the growth and characterization of free-standing gallium indium arsenide nanowires grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The growth mechanisms of free-standing nanowires remain barely known and explored in its fundamental aspects. The theoretical models of the formation of free-standing n
Publicado em: 2010
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6. Projeto e construção de um sistema de crescimento epitaxial por feixe molecular / Project and construction of a molecular beam epitaxy growth system
A técnica de crescimento epitaxial por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy – MBE) pode ser considerada como uma das mais importantes para a obtenção de filmes finos, heteroestruturas e nanoestruturas nos dias atuais, permitindo a obtenção de filmes de excelente qualidade, além de permitir o acompanhamento do crescimento in situ através de
Publicado em: 2009
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7. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/02/2007
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8. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007
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9. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007
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10. CRESCIMENTO, ESTRUTURA E POLARIZAÇÃO DE TROCA EM BICAMADAS FERROMAGNETO / ANTIFERROMAGNETO PREPARADAS POR DEPOSIÇÃO EM CONDIÇÕES DE EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR: Fe / EuTe(111), Fe / Ni50Mn50(001) e Ni1-xFex / Fe50Mn50
Magnetic interaction at interfaces between different layered magnetic materials is an important current topic in physics and materials science, particularly when combining ferromagnetic metals and semiconductors. The exchange bias effect associated with the exchange coupling between antiferromagnetic (AFM) and ferromagnetic (FM) systems, has been extensively
Publicado em: 2007
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11. Low frequency oscillations and bifurcation diagram in semi-insulating GaAs samples
We present an experimental study of bifurcation diagrams from low frequency current oscillations (LFO) measurements obtained from semi-insulating GaAs samples grown by low temperature molecular beam Epitaxy (LT-MBE). The considered growth temperatures were 215ºC and 265ºC. LFO are considered to be spontaneously generated oscillations under constant applied
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-06
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12. Variable range hopping conduction in low-temperature molecular beam epitaxy GaAs
Electric transport properties measured by Van der Pauw resistivity experiments of Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy (LT-MBE) GaAs samples are used to identify a method to improve the resistivity of GaAs material. We present results on five samples grown at 265, 310, 315, 325, and 345 ºC. The electric measurements were carried out at temperatures rangin
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-06