Iii V Semiconductors
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1. THE NATURE OF PLASTIC DEFORMATION OF III-V SEMICONDUCTORS RESULTING FROM ATOMIC FORCE MICROSCOPY NANOLITHOGRAPHY / A NATUREZA DA DEFORMAÇÃO PLÁSTICA EM SEMICONDUTORES III-V RESULTANTE DA NANOLITOGRAFIA POR MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA
Neste trabalho foi estudada a deformação mecânica em semicondutores III-V resultante da nanolitografia por microscopia de força atômica (AFM). O AFM, equipado com uma ponta de diamante de raio de curvatura de 80 nm, foi usado para riscar a superfície do InP com forças da ordem de dezenas de mN ao longo de direções cristalográficas específicas. O p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/06/2011
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2. Homogeneidade química, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V / Chemical homogeneity, interfaces and structural defects in III-V semiconductor nanowires
O desenvolvimento de novos materias tem grande interesse devido à ocorrência de novos fenômenos e propriedades, as quais podem ser usadas em futuras aplicações tecnológicas. Em particular, nas últimas décadas, esforços imensos foram realizados buscando compreender nanomateriais e os efeitos da redução de tamanho e de dimensão. Entre os diferentes
Publicado em: 2011
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3. Síntese e caracterização de filmes à base de Si e Ge dopados com espécies magnéticas / Synthesis and characterization of Si and Ge based films doped with magnetic species
Along the last few years, the doping of semiconductors (either II-VI, IV-VI, III-V, and group-IV compounds) with magnetic species have been extensively studied due to their potential applications in spintronics. Among them, Si- and Ge-based magnetic semiconductors are very attractive because of their total compatibility with the well-established current semi
Publicado em: 2010
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4. Analisys of the atomic orbitals spin information in the calculation of semiconductors strucutures properties / Análise da informação do spin dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades de estruturas semicondutoras
O presente trabalho é um estudo sobre a importância da informação dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades optoeletrônicas de heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade. O trabalho é dividido em duas partes: na primeira parte, é estudada a simetria de reversão temporal no hamiltoniano k . p, analisando a preservação da info
Publicado em: 2010
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5. CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP / CHARACTERIZATION OF MECHANICAL DEFECTS PRODUCED BY NANOINDENTATION IN INP
In this thesis, the mechanical deformation mechanism of semiconductors III-V was studied, especially for InP. Defects were produced by indentations using an atomic force microscope and a Triboscope nanoindenter. The AFM tip torsion during indentation difficult the control and the reproducibility of AFM nanoindentation experiments. Nevertheless, the tip torsi
Publicado em: 2009
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6. Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens / Development of Terahertz radiation emitters based on photoconductive III-V compounds for spectroscopy and imaging
A radiação eletromagnética em Terahertz (THz) situa-se na faixa de 1012 Hz, com comprimentos de onda associados variando de 30 µm até 3 mm. É possível então usar esta radiação para investigar propriedades físicas de materiais que requerem uma definição desta ordem. Além de aplicações na espectroscopia, estes comprimentos de onda são capazes
Publicado em: 2009
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7. Sintese de nanoparticulas de oxidos semicondutores tipo caroço-casca em ambiente confinado / Synthesis of semiconductors oxides core-shell nanoparticles into confined ambient
Este trabalho reporta o estudo e o desenvolvimento da metodologia de síntese e de caracterização de nanopartículas isoladas e nanopartículas heteroestruturadas caroço@casca (NCC) envolvendo os óxidos semicondutores (TiO2, CeO2 e SnO2) impregnados em suporte poroso funcional (vidro poroso Vycor ¿ PVG). Empregou-se a metodologia de Ciclos de Impregnaç
Publicado em: 2009
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8. Temperature and doping dependencies of electron mobility in InAs, AlAs and AlGaAs at high electric field application
Temperature and doping dependencies of electron mobility in InAs, AlAs and AlGaAs structures have been calculated using an ensemble Monte Carlo simulation. Electronic states within the conduction band valleys at the Γ, L and X are represented by non-parabolic ellipsoidal valleys centred on important symmetry points of the Brillouin zone. The simulation show
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2008-09
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9. Nanostructured materials of type IV and III-V doped with Mn. / Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V dopados com Mn
No presente trabalho, investigamos propriedades eletr^onicas, estruturais e de transporte de nanoestruturas do tipo IV e tipo III-V usando c´alculos de primeiros princ´?pios. (I) Como ponto de partida, verificamos sistematicamente a estabilidade do Mn substitucional nas camadas de Ge em uma heteroestrutura de Si/Ge. Estudamos a intera¸c~ao magn´etica Mn-
Publicado em: 2007
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10. "Spin and magnetic properties of the III-V group semiconductors" / "Propriedades magnéticas e de spin em semicondutores do grupo III-V"
We present the results of our investigations concerning MBE grown AlGaAs/GaAs parabolic quantum well (PQW) samples. We focused on the variation of the Landé g factor along the structure of the PQWs, which occur as a consquence of its dependence on the Al content on the alloy AlGaAs. The implications are studied by Hall and Shubnikov-de Haas measurements. Sh
Publicado em: 2006
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11. Photoluminescence properties of Te doped AlGaAsSb alloys
A detailed study of the photoluminescence properties in undoped and Te-doped AlGaAsSb alloys lattice matched to InP is presented. Photoluminescent temperature and excitation intensity dependences are employed to discuss the origin of the dominant transition and the influence of the presence of Al and Te on the fluctuation of the electrostatic potential in th
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2005-12
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12. Manipulation with spin ordering in ferromagnetic semiconductors
A short overview is given of recent advances in the field of carrier-controlled ferromagnetism in Mn-based III-V and II-VI diluted magnetic semiconductors and their nanostructures. The tailoring of domain structures and magnetic anisotropy by strain engineering and confinement is described. Experiments demonstrating the tunability of T C by light and electri
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2004-06