Inaias
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1. CARBON DOPING IN INAIAS EPITAXIAL LAYERS / DOPAGEM CARBONO EM CAMADAS EPITAXIAIS DE INALAS
É reconhecido o potencial de usar carbono como um dopante tipo p em InAlAs devido a obtenção de elevados níveis de dopagem [1,2]. Entretanto, níveis elevados de dopagem só são alcançados em baixas temperaturas de crescimento (Tg inferiores a 600°C). Nessas temperaturas, as camadas crescidas apresentam qualidade ótica inferior quando comparadas com
Publicado em: 2002