Interacao Plasmon Fonon
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1. Interação plasmon-fônon LO em superredes semicondutoras
This work presents a Raman investigation of the optical vibrations in highly doped In-GaAs/InP and GaAs/AlGaAs superlattices (SLs). The InGaAs/InP SLs grown with different periods were analyzed using polarized Raman techniques. No Raman selection rules were found in the long period InGaAs/InP SLs due to the structural defects in the bulk materials constituti
Publicado em: 2008
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2. Estudo por espectroscopia Raman de efeitos de localização das excitações elementares em superredes e em ligas dopadas.
Neste trabalho, as propriedades de localização das excitações de uma partícula e das excitações sujeitas a um potencial aleatório em ligas AlGaAs:Si e em superredes intencionalmente desordenadas GaAs/AlGaAs:Si (SLs) foram investigadas por magnetoresistência e espalhamento Raman. Como é bem sabido, as flutuações do potencial eletrônico, que ocorr
Publicado em: 2005
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3. Ressonancia e interferencia no espalhamento Raman em semicondutores
Neste trabalho, estuda-se o mecanismo pelo qual se dá o espalhamento Raman de luz em semicondutores. Inicialmente faz-se este estudo na região de ressonância ( hwL ~ Eg ) em semicondutores com banda de condução não populada ( T ~ 0 ), usando-se a técnica de propagadores. Como estado intermediário para o processo considera-se o polaron. Para a intera�
Publicado em: 1977