Isfet
Mostrando 1-10 de 10 artigos, teses e dissertações.
-
1. Evaluation study of an ion selective field effect transistor electrode for measuring quality parameters of fuel ethanol
Um eletrodo íon seletivo baseado em transistor de efeito de campo (ISFET) foi avaliado na medição de pH e índice de acidez (IA) de etanol combustível e comparado a dois eletrodos de vidro contendo soluções de referência diferentes: solução aquosa de KCl (eletrodo glass-KCl) e solução etanólica de LiCl (eletrodo glass-LiCl). O pH foi determinado
J. Braz. Chem. Soc.. Publicado em: 2013-01
-
2. Desenvolvimento de materiais e métodos de fabricação de sensores químicos/bioquímicos baseados em silício e nanoestruturas de carbono (ISFET, CNTFET e GraFET) : Development of materials and methods of fabrication of chemical/biochemical sensors based on silicon and carbon nanostructures (ISFET, CNTFET and GraFET) / Development of materials and methods of fabrication of chemical/biochemical sensors based on silicon and carbon nanostructures (ISFET, CNTFET and GraFET)
Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de materiais e métodos avançados de fabricação de sensores químicos/bioquímicos. Utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da UNICAMP, foram desenvolvidos e caracterizados filmes finos de alta constante dielétrica e filmes metálicos. Os materiais desenvolvidos foram
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/07/2012
-
3. Sensores e biossensores baseados em transistores de efeito de campo utilizando filmes automontados nanoestruturados / Sensors and biosensors based on field-effect transistors using nanostructured self-assembled films
Separative extended gate field-effect transistor (SEGFET) device is an alternative to the conventional ion-sensitive field-effect transistor (ISFET). The great advantage of SEGFET refers to its easy processing, i.e., it is limited under only manipulation of the gate electrode, avoiding the conventional microelectronic processes. In this way, ion sensors and
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/11/2011
-
4. Tin and zinc oxides semiconductor devices / Dispositivos semicondutores a partir de óxidos de estanho e zinco
This work presents the study and development of semiconductor devices base on tin and zinc oxides. The first device is related to the development of pH sensors based on field effect, while the second device uses surface acoustic waves for the transport of carriers related to a single photon detector device. Initially, the semiconductors were used as hydrogen
Publicado em: 2009
-
5. Materiais micro e nanoestruturados para sensores de íons do tipo EGFET / Micro and nanostructured materials for EGFET ion sensor.
Este trabalho descreve os resultados do estudo de materiais como óxido de manganês, nanotubos de carbono e feltro de carbono (puro e recoberto com nanotubos ou polianilina-Pani), assim como do desenvolvimento de dispositivos. Os dispositivos estudados estão relacionados a sensores de pH, utilizando esses materiais como membranas seletivas de H+ . Essas me
Publicado em: 2009
-
6. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/SiO2/Si3N4 para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au. / Electrical characterization of ISFET devices with Si/SiO2/Si3N4 structure to measure pH using Pt, Ag, and Au pseudoelectrodes.
Neste trabalho, foi realizado um estudo da caracterização elétrica dos ISFETs com estrutura Si/SiO2/Si3N4, utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au como alternativas aos eletrodos convencionais para medições de pH. Primeiramente, foram empregados três métodos reportados na literatura (extrapolação linear para obtenção da tensão de limiar, segund
Publicado em: 2008
-
7. Characterization of thin titanium oxite films for ISFET application / Caracterização de filmes finos de oxido de titanio obtidos atraves de RTP par aplicação em ISFETs
This work presents the characterization of thin titanium oxide films as potential dielectric to be applied in ion sensitive field effect transistors. The films were obtained through rapid thermal oxidation and annealing of titanium thin films of different thicknesses deposited by Ebeam evaporation on silicon wafers. These films were analyzed by Ellipsometry,
Publicado em: 2008
-
8. Fabrication of ISFET-Microsensors based on Ag and Au Nanoelectrodes / Desenvolvimento de Microssensores do tipo ISFETs a base de Nanoeletrodos de Ag e Au
Conjuntos de transistores de efeito de campo sensíveis a íons (ISFETs) foram desenvolvidos no presente trabalho. Implementou-se durante a fabricação destes uma etapa adicional de anodização que possibilitou a formação de uma fina camada de alumina porosa sobre suas portas. Esta serviu como dielétrico e também molde para o crescimento de nanocristai
Publicado em: 2007
-
9. Sensores eletroquímicos para detecção de íons e medida de pH baseados em filmes de silício poroso. / Electrochemical sensors to ions detection and pH measure based on porous silicon films.
O presente trabalho foi realizado com o objetivo de contribuir para o desenvolvimento tecnológico de sensores eletroquímicos utilizados na detecção de íons, especificamente, de íons de hidrogênio (H+). Na primeira parte do trabalho é descrito e discutido o estado da arte de sensores eletroquímicos de H+, principalmente de dispositivos sensíveis a �
Publicado em: 2007
-
10. SnO2 extended gate field-effect transistor as pH sensor
Extended gate field-effect transistor (EGFET) is a device composed of a conventional ion-sensitive electrode and a MOSFET device, which can be applied to the measurement of ion content in a solution. This structure has a lot of advantages as compared to the Ion- Sensitive Field Effect Transistor (ISFET). In this work, we constructed an EGFET by connecting th
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-06