Material Dieletrico
Mostrando 1-12 de 32 artigos, teses e dissertações.
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1. Nitretação por descargas elétricas da liga Ti-6Al-4V com adição de pó abrasivo SiC ao fluido dielétrico
RESUMO O processo de nitretação que usa Usinagem por Descargas Elétricas é um método que associa a capacidade de usinar superfícies complexas com a obtenção de tratamento termoquímico de nitretação. A fonte de nitrogênio é proveniente da uréia, que compõe o fluido dielétrico juntamente com água deionizada. A liga de titânio Ti-6Al-4V possui
Matéria (Rio J.). Publicado em: 16/09/2019
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2. RELAÇÃO ENTRE O TEOR DE UMIDADE E A CONSTANTE DIELÉTRICA DE ESPÉCIES DE MADEIRA DA AMAZÔNIA DURANTE O PROCESSO DE SECAGEM1
RESUMO O objetivo deste estudo foi determinar a relação entre constante dielétrica e teor de umidade de seis espécies de madeira, por meio da construção de um capacitor. O material utilizado constituiu-se de madeiras da Amazônia não comercializadas, mas com alta abundância e dominância na Floresta Nacional deAlbizia duckeana (fava-paricá), Brosimu
Rev. Árvore. Publicado em: 2016-02
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3. Caracterização elétrica de filmes finos de telureto com nanopartículas de ouro depositados pela técnica sputtering. / Electrical characterization of tellurite thin films containing gold nanoparticles deposited by sputtering technique.
Este trabalho tem como objetivo a produção e caracterização elétrica de filmes finos de telureto com nanopartículas de ouro para aplicações em microeletrônica. Filmes finos foram produzidos por magnetron sputtering a partir de alvos de telureto cerâmico e de ouro metálico. Foi desenvolvida metodologia adequada para a nucleação das nanopartícula
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/02/2012
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4. ANISOTROPIC DIELECTRIC CORRUGATED CYLINDRICAL GUIDE / GUIA CILÍNDRICO CORRUGADO COM DIELÉTRICO ANISOTRÓPICO
Esta tese apresenta uma análise de uma estrutura de corneta cônica corrugada com dielétrico anisotrópico, com eixo óptico na direção axial da corneta. Esta configuração de corneta pode ser conseguida utilizando-se a estrutura de uma corneta corrugada com a adição de um cone dielétrico anisotrópico uniaxial. A anisotropia pode ser conseguida arti
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/02/2012
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5. Elaboração e caracterização de compósitos magnéticos
No processo de têmpera por indução, o material é aquecido por um campo magnético gerado por uma corrente alternada de alta frequência, que passa através de uma bobina. Para melhorar a eficiência do processo, são utilizados, junto à bobina, orientadores de fluxo magnético, que são materiais magnéticos moles. Esses orientadores de fluxo são const
Rem: Revista Escola de Minas. Publicado em: 2011-12
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6. Estudo do brim Santista visando aplicações em antenas têxteis / Study of the Santista denim for the applications in the textile antennas
A caracterização eletromagnética do tecido brim Santista, através de medições experimentais e cálculos analíticos da constante dielétrica e tangente de perda desse material foi apresentada de forma pioneira. Para esse propósito foi implementado um confiável e rigoroso método de medição que é exposto em detalhes. A possibilidade da utilização
Publicado em: 2011
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7. Controle não-linear de força de músculos artificiais poliméricos por efeito capacitivo
Uma tecnologia incipiente para atuação de sistemas com características físicas e dinâmicas parecidas com músculos naturais vem sendo estudada desde o início da década de 90. No entanto, o controle destes sistemas não é uma tarefa trivial, devido às não-linearidades intrínsecas. Este trabalho apresenta uma proposta para controle não-linear de fo
Sba: Controle & Automação Sociedade Brasileira de Automatica. Publicado em: 2010-10
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8. Ressoador retangular defenda com quatro camadas fotônicas / Ressoador retangular defenda com quatro camadas fotônicas
Recentemente as antenas planares tem despertado interesses devido as suas características e vantagens que oferecem quando comparadas com os demais tipos de antenas. Na área de comunicações móveis a necessidade de antenas desse tipo, tem se tornado cada vez mais utilizadas, devido ao intenso desenvolvimento, que necessita de antenas que operem em multifr
Publicado em: 2010
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9. Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta potência. Além disso, é o único semicondutor composto que, reagindo com o oxigênio, forma um óxido isolante estável, o Si
Publicado em: 2010
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10. Rompimento do dielétrico em junções túnel
Neste estudo foi analisado o rompimento da camada isolante em junções túnel (BD). As amostras utilizadas foram produzidas por “magnetron sputtering” a partir de alvos de Al e a camada isolante obtida através da oxidação de parte da camada de Al depositada. As curvas experimentais de corrente versus tensão das junções foram ajustadas usando o mod
Publicado em: 2010
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11. Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS. / Study of III-V piezoelectric materials obtained by reactive sputtering for sensors and MEMS applications.
Neste trabalho, apresento um estudo sobre a fabricação e caracterização físico-química de filmes finos de nitreto de alumínio (AlN) obtidos pela técnica de pulverização catódica reativa por rádio frequência (r.f sputtering) utilizando um alvo de alumínio puro. Visto que o AlN é um material que apresenta piezoeletricidade e compatibilidade com
Publicado em: 2010
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12. Transistor de efeito de campo (FET) para detecção quimica e bioquimica utilizando dieletrico de porta constituido de camada empilhada SiNx/SiOxNy / Field effect transistors (FET) with dielectric gate made of a stacked layer SiNx/SiOxNy for chemical and biochemical detection
Esta dissertação consiste de duas etapas. Inicialmente são estudados filmes de nitreto de silício depositados por LPCVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition, utilizando-se diferentes relações de concentração de gases reagentes, [SiH2Cl2]/[NH3], e utilizando-se como substrato lâminas de silício tipo p, com e sem camada almofada de oxinitreto de s
Publicado em: 2009