Metodo De Bridgman
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1. Simulação numérica bidimensional de crescimento de ligas binárias utilizando processamento paralelo / Bidimensionalnumericalsimulationofgrowthofbinaryalloysusingparallelprocessing
A solidificação direcionada de ligas semicondutoras é uma das técnicas mais utilizadas para a obtenção de substratos cristalinos de alta qualidade, constituindo um protótipo de estudo de fenômenos de transporte macroscópicos envolvendo o acoplamento das equações de conservação de massa, momento e energia. As propriedades cristalinas do material
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/02/2001
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2. Simulação numérica bidimensional de crescimento de ligas binárias utilizando processamento paralelo / Bidimensionalnumericalsimulationofgrowthofbinaryalloysusingparallelprocessing
A solidificação direcionada de ligas semicondutoras é uma das técnicas mais utilizadas para a obtenção de substratos cristalinos de alta qualidade, constituindo um protótipo de estudo de fenômenos de transporte macroscópicos envolvendo o acoplamento das equações de conservação de massa, momento e energia. As propriedades cristalinas do material
Publicado em: 2001
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3. Simulação numérica bidimensional de crescimento de ligas binárias utilizando processamento paralelo / Bidimensionalnumericalsimulationofgrowthofbinaryalloysusingparallelprocessing
The directional solidification of semiconductor alloys is an usual technique for the attainment of a high quality crystalline substratum. This technique is a prototype for the study of macrocospic transport phenomena and involves the coupling of the conservation equations for mass, moment and energy. The crystalline properties of the alloy depend basically o
Publicado em: 2001
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4. Preparação e caracterização de monocristais das fases Fe17R2 (R=terras raras)
O crescimento de monocristais das fases Fe17R2, R = terras raras, apresenta várias dificuldades associadas com a formação peritética destas fases, a volatilidade das terras raras e sua alta reatividade. Para resolver estes problemas nos experimentos de crescimento de monocristais utilizando o método Bridgman, nós utilizamos um forno de indução com um
Publicado em: 1997
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5. Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman
Not informed
Publicado em: 1996