Mocvd
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1. Atividade fotocatalítica sob luz visível e reutilização de filmes de TiO 2 dopados com N crescidos por MOCVD
Resumo O crescimento de filmes de TiO2 dopados com nitrogênio sobre vidro borossilicato foi efetuado a 400 °C por deposição química de organometálicos em fase vapor (MOCVD) visando a remoção de corantes da água sob luz visível. O efeito da dopagem nas propriedades estruturais, morfológicas e fotocatalíticas dos filmes foi avaliado. Análises por
Cerâmica. Publicado em: 2020-12
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2. Effect of Growth Parameters on the Photocatalytic Performance of TiO2 Films Prepared by MOCVD
The present study evaluated the main factors that influence the photocatalytic activity of titanium dioxide (TiO2) films grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) at 400 and 500 °C, in different growth times. The photocatalytic behavior was analyzed by measuring the methyl orange dye degradation at different pH values. Structural and morpholog
J. Braz. Chem. Soc.. Publicado em: 2020-06
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3. Growth and Characterization of AlxGa1-xAs Obtained by Metallic-Arsenic-Based-MOCVD
In this work reports results related to growth and characterization of AlxGa1-xAs epilayers, which were grown in a metallic-arsenic-based-MOCVD system. The gallium and aluminium used precursors were trimethylgallium (TMGa) and trimethylaluminium (TMAl), respectively. By photoluminescence measurements observed, that only samples grown at temperatures above 80
Mat. Res.. Publicado em: 23/03/2017
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4. Obtenção e caracterização de revestimentos compostos de multicamadas TiO2/TiN / Obtention and characterization of TiO2/TiN multilayers coatings
A nanociência emergiu nos últimos anos como uma das áreas mais importantes para os futuros desenvolvimentos tecnológicos, especialmente na área de dispositivos eletrônicos. A nanotecnologia tem um caráter primordialmente interdisciplinar, que engloba conhecimentos de física, química, engenharias e biologia. Essa tecnologia está sendo usada da fabri
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/09/2010
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5. Caracterização elétrica de estruturas metal/dielétrico high-k/Si
Foram estudadas as propriedades elétricas de estruturas MOS envolvendo materiais com Zr e Hf: Al/HfO2/Si, Al/HfAlO/Si, Al/ZrO2/Si e Al/ZrAlO/Si depositadas por JVD (Jet Vapor Deposition) submetidas a diferentes doses de implantação de nitrogênio e tratamentos térmicos; Au/HfO2/Si e Au/HfxSiyOz/Si preparadas por MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposi
Publicado em: 2007
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6. Growth and characterization of low dimensional structures for applications in the visible spectrum / Crescimento e caraterização de estruturas de baixa dimensionalidade para aplicações no espectro visivel
Os nitretos (Ga, Al, In)N assim como os compostos GaInP, GaCuO2, representam um sistema de materiais muito importante para as aplicações em opto-eletrônica e dispositivos tais como os diodos emissores de luz (LEDs), lasers e nanosensores. Entretanto, o requisito essencial para as aplicações industriais desses materiais é a redução em seus tamanhos. N
Publicado em: 2007
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7. Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si
O presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo método de deposição química de organometálicos na fase vapor (MOCVD) sobre Si, contendo uma camada interfacial oxinitretada em
Publicado em: 2007
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8. Nucleação e crescimento de filmes de diamante em substratos de zircônia parcialmente estabilizada
Neste trabalho foi investigado o processo de deposição de filmes auto-sustentados de diamante por deposição química a vapor (CVD) sobre substrato de zircônia parcialmente estabilizada com ítria (Zr02 PE). O objetivo principal foi entender os mecanismos responsáveis pelo fato do filme não aderir a este substrato e apresentar excelente grau de cristal
Publicado em: 2007
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9. Caracterização de multicamadas TiO2/TiNxOy por tecnicas de difração de raios-X
Técnicas de Difração de Raios-X foram utilizadas com o objetivo de caracterizar as propriedades mecânicas de filmes finos e multicamadas de TiO2 e TiNxOy, com diferentes espessuras, crescidas por deposição química de organometálicos em fase vapor a baixa pressão (LP-MOCVD) sobre substratos de Si(001) e Al2O3(012) (safira). Foram realizadas experiên
Publicado em: 2003
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10. Influência dos parâmetros de crescimento em filmes finos de TiO2 depositados pelo método MOCVD
A síntese de filmes finos de TiO2 por meio do método MOCVD é descrita. Foi estudada a influência de parâmetros de deposição usados durante o crescimento nas características estruturais obtidas. Foram combinados diferentes temperaturas do banho organometálico, tempo de deposição, temperatura e tipo do substrato. A forte influência destes parâmetr
Cerâmica. Publicado em: 2002-12
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11. Influência dos parâmetros de crescimento de filmes finos de TiO2 depositados pelo método MOCVD
A síntese de filmes finos de TiO2 foi feita pelo método de deposição química do vapor de organometálicos (MOCVD). Foi estudada a influência de parâmetros de deposição usados durante o crescimento, nas características estruturais finais. Foi feita uma combinação de vários parâmetros experimentais: temperatura do banho do organometálico, tempo
Cerâmica. Publicado em: 2002-03
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12. Estrategias para obtenção de precursores unicos para a deposição de Nb2O5 ZrO2 e CuO por deposição quimica de vapor por metalorganicos
The aims of this work were to propose and study precursors for low pressure chemical vapor deposition of metal oxides thin films of niobium, zirconium and copper to be used in the electronic industry. This work describes the synthesis and characterization of four new precursors for MOCVD: [Nb(OPr)5]2 (2.1), [Nb(OPr)5(HOPr)] (2.2), [{Zr(HOBu)2(HFTB)2}(HOBu)]
Publicado em: 2002