Modelamento De Dispositivo
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1. Fundamentos, produção e aplicações de marcas térmicas em eletroforese capilar / Fundamentals, production, and applications of thermal marks in capillary electrophoresis
Em eletroforese capilar, a reprodutibilidade depende essencialmente da manutenção do sinal e no tempo de migração das espécies. A alteração do fluxo eletrosmótico (EOF) entre corridas é um dos principais fatores que afetam esses parâmetros. Nesse trabalho, é proposto um sistema de monitoramento do EOF baseado em marcas térmicas (TMs), que consist
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/08/2011
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2. Como simular um laser de pontos quânticos semicondutores
Laser de pontos quânticos semicondutores é uma recente classe de fontes laser que se apresenta como alternativa aos lasers de poços quânticos. Durante o desenvolvimento de fontes laser um passo importante consiste na modelagem dos dispositivos a serem realizados, e isto requer o uso de bons métodos, capazes de incorporar vários fenômenos físicos pres
Revista Brasileira de Ensino de Física. Publicado em: 2009-06
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3. Análise sistêmica da compensação de dispersão e amplificação Raman em fibras microestruturadas
Este trabalho estuda através de modelamento sistêmico, uma fibra óptica microestruturada utilizada em um módulo de compensação de dispersão e amplificação Raman de sistemas ópticos. O uso deste dispositivo compensa a dispersão em faixas de freqüência não cobertas por fibras de compensação de dispersão convencionais e simultaneamente amplific
Publicado em: 2009
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4. Development of InGaAsP/InP double-heterostrucuture semiconductor laser with distributed feedback / Desenvolvimento de laser semicondutor de dupla heteroestrutura InGaAsP/InP com realimentação distribuida
O desenvolvimento de um laser de semicondutor envolve várias etapas, e cada uma delas requer conhecimentos e técnicas específicas. O objetivo deste trabalho foi desenvolver as várias técnicas necessárias para o projeto, fabricação e caracterização de um laser de semicondutor monomodo, com realimentação distribuída, operando em 1.5 µm (3ª. gera
Publicado em: 2009
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5. Simulação do comportamento térmico de transistores MOS com o uso de modelos acoplados.
Em diversas aplicações de alto desempenho, é necessário conhecer o efeito da variação da temperatura no funcionamento do circuito eletrônico e de seus dispositivos. Apesar de modificar enormemente o desempenho e característica, a influência da temperatura no comportamento dos dispositivos semicondutores não é satisfatoriamente modelada nos simulad
Publicado em: 2008
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6. Estudo, proposta e previsão de desempenho de um filtro de energia para experimentos com alta resolução de comprimento de onda em fontes pulsantes de nêutrons
Em fontes de nêutrons por spallation para pesquisa de materiais, o comprimento de onda dos nêutrons é geralmente determinado pelos tempos de percurso (TOF) dos nêutrons desde a fonte até o detector. A precisão atingível é limitada pelo fato de o tempo de emissão do pulso característico do sistema alvo/moderador ser diferente de zero (a situação i
Publicado em: 2007
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7. Modelamento de amplificadores opticos dopados com erbio usando elementos finitos
Apresentam-se modelos numéricos para amplificadores ápticos dopados com érbio pelo método dos Elementos Finitos. Propomos modelar simultaneamente tanto a parte real (relacionada com o comportamento não linear) como a imaginária (relacionada com o ganho do dispositivo) do material dopado através do cálculo da susceptibilidade complexa. Devido à consi
Publicado em: 2000
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8. Modelamento a analise de desempenho de sistemas de transmissão optica pela atmosfera
Neste trabalho fazemos um estudo da propagação de feixes ópticos através da atmosfera. No modelamento do canal estão incluídos os efeitos de alargamento do feixe, turbulência atmosférica, absorção por moléculas e espalhamento em partículas. Fazemos um estudo das janelas de transmissão óptica, onde são considerados quatro comprimentos de onda n
Publicado em: 1996
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9. Projeto de um circuito integrado inteligente de potencia implementado em tecnologia convencional CMOS
Este trabalho de tese foi motivado por resultados experimentais que comprovaram eficiência dos transistores LDD-NMOS e LDSD-NMOS na manipulação de potência. Tais transistores são passíveis de serem construídos em tecnologias digitais convencionais, capazes de serem integrados monoliticamente com os seus circuitos de controle. Na primeira parte do Cap�
Publicado em: 1996
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10. Projeto e estudo de um propulsor iônico para empuxo de satélites espaciais
Os propulsores iônicos são dispositivos que tem encontrado um vasto e crescente campo de utilização com relação às aplicações espaciais, tais como o descarregamento elétrico e o controle de atitude e órbita de satélites geoestacionários ou mesmo de estações interplanetárias, pois, estes propulsores apresentam valores elevados de impulso espec
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/07/1993
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11. Etching quimico a cristais de InP com soluções de HC1
Atualmente há um grande interesse pelo uso de semicondutores compostos, à base da liga de índio e fósforo (InP), na área de dispositivos optoeletrônicos para telecomunicações. Na fabricação e no controle de qualidade destes dispositivos, a necessidade de utilização de processos confiáveis continua crescendo. O ataque químico (etching) em semico
Publicado em: 1992
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12. OSCILADORES DE MICROONDAS À FET GAAS / GAAS FET MICROWAVE OSCILLATORS
Este trabalho apresenta sistemáticas para projetos de osciladores de microondas empregando basicamente como elemento ativo o transistor FET GaAs em várias configurações. Inicialmente o modelamento a pequenos sinais é estudado e um projeto é desenvolvido para comprovação experimental. Determinações de redes adaptadoras de saídas para o oscilador s�
Publicado em: 1980