Nanoeletronica
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1. Simulação de transistores spintrônicos, materiais semicondutores e pontos quânticos
Justificadamente, o século XX poderia ser qualificado como o século da Eletrônica. Em 50 anos, os dispositivos eletrônicos revolucionaram a sociedade, incluindo desde os brinquedos eletrônicos e os eletrodomésticos, até os gigantescos supercomputadores usados em previsões climáticas. Toda esta revolução ocorreu à sombra de uma técnica para torna
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 22/12/2011
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2. Correlação entre a morfologia e o transporte de elétrons em filmes finos de ferro
A proposta deste trabalho foi relacionar as características morfológicas com as respostas magnéticas, resistivas e magnetorresitivas de três amostras compostas de filmes de ferro (com espessuras de 60, 120 e 245 Å) depositados, por desbaste iônico magnético, sobre silício vicinal com direção cristalográfica de corte 111. A caracterização m
Publicado em: 2011
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3. Dissociação da molécula de água em superfícies de silício: um estudo teórico / Dissociation of water molecule on silicon surfects: a theoretical study
O silício é o material-base para a indústria de microeletrônica e tem acompanhado a evolução para a nanoeletrônica. Em várias aplicações é importante o processo de química molhada que prevê a presença de moléculas de água na superfície do semicondutor. Todavia, muito pouco ainda é conhecido, teórica e experimentalmente, sobre os mecanismos
Publicado em: 2010
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4. Passivação da superfície do Germânio visando ao uso da nanoeletrônica
Investigamos a passivação superficial do Germânio visando ao uso em Nanoeletrônica, que requer: (i) preparação de uma superfície plana e isenta de contaminantes e (ii) crescimento ou deposição de um dielétrico termodinamicamente estável em contato com o substrato nos ambientes e temperaturas usuais na fabricação de dispositivos. Na primeira etap
Publicado em: 2009
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5. Caracterização das monocamadas mistas (DPPC+BCD) de Langmuir: efeito da estrutura e concentração do BCD e da força iônica na subfase / Characterization of (DPPC+BCD) Langmuir mixed monolayers: effects of BCD structure and concentration and ionic strengths in subphase
Neste trabalho foram estudadas as interações entre os corantes ciânicos com dois cromóforos (BCD) e monocamadas de Langmuir de fosfolipídio (DPPC). Devido ao alto coeficiente de absorção molar da luz na região ? >600 nm, ao alto rendimento quântico do estado tripleto, à alta fotocitotoxicidade e à alta afinidade com estruturas celulares os BCD sã
Publicado em: 2009
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6. Caracterização elétrica de dispositivos e circuitos integrados
Neste trabalho foi desenvolvido e implementado um modelo de estrutura para caracterização e teste de dispositivos eletrônicos e circuitos integrados. Este modelo é capaz de validar uma grande variedade de dispositivos e circuitos integrados, inclusive protótipos de SoC (System on Chip). O modelo inclui bancadas de testes, instrumentação, procedimentos
Publicado em: 2008
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7. Modelagem e simulação de pontos quânticos acoplados
Esta Tese de Doutorado fundamenta-se na construção de um modelo comportamental para dispositivos mono-elétron, e de sua implementação na forma de um algoritmo numérico, para a simulação da evolução no tempo da dinâmica de transporte de portadores, considerados individualmente. Está focada principalmente no que se refere ao comportamento da dinâm
Publicado em: 2007
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8. Interconnections influince upon nanoelectronic integrated circuits performance based on single-electron transistor / Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron
As tecnologias básicas adotadas atualmente pela indústria semicondutora para a fabricação de memórias e processadores podem alcançar certos limites que fazem com que novas tecnologias tenham que ser estudadas e desenvolvidas. Os transistores mono-elétron, como outros dispositivos em escala nanométrica, parecem ser uma opção próspera para implement
Publicado em: 2007
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9. Desenvolvimento de uma memória associativa estocástica utilizando transistores mono-elétron / Development of a stochastic associative memory using single-electron transistors.
In this study the design of an stochastic associative memory, based upon single-electron transistors, was, for the first time, carried out. An hierarchical design methodology, suitable for single-electron circuit conception was also devised in this work. The associative memory circuit designs performance was validated using professional electrical simulators
Publicado em: 2006
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10. SIMULAÇÃO E SÍNTESE AUTOMÁTICA DE CIRCUITOS DE AUTÔMATOS CELULARES COM PONTOS QUÂNTICOS ATRAVÉS DE TÉCNICAS INTELIGENTES / SIMULATION AND AUTOMATIC SYNTHESES OF QUANTUM DOTS CELLULAR AUTOMATA CIRCUITS THOUGHT INTELLIGENT TECHNIQUES
Esta dissertação investiga e propõe um novo simulador de circuitos de Autômatos Celulares com Pontos Quânticos (QCA) e uma nova metodologia para a criação e otimização de circuitos lógicos, utilizando técnicas da inteligência computacional. Autômatos Celulares com Pontos Quânticos é uma nova tecnologia, na escala nanométrica, que tem chamado
Publicado em: 2006