Nanofios Semicondutores
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1. Estudo de primeiros princípios das propriedades eletrônicas de novos materiais derivados do grafeno : as nanofitas e nanofios
Nesta tese, estudamos novos materiais derivados de grafeno, as nanofitas e os nanofios de carbono, com o uso de cálculos numéricos baseados na teoria do funcional da densidade (DFT) e na teoria de funções de Green fora do equilíbrio (NEGF). Abordaremos estas teorias de forma geral na tese e ressaltamos que são teorias baseadas em mecânica quântica. O
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 05/09/2012
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2. Nanofios semicondutores : síntese e processos de formação / Semiconductor nanowires : synthesis and formation process
O estudo em nanofios semicondutores é crescente, seja pelo grande potencial de aplicações previsto para eles, seja para entender a dinâmica de formação dessas nanoestruturas. Entretanto, estes dois elementos estão ligados, pois é necessário entender o processo de síntese dos nanofios semicondutores para utilizar todo o seu potencial para aplicaçõ
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/02/2012
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3. Síntese, fotoluminescência e caracterização elétrica de nanoestruturas de ZnO
Nanofios semicondutores de óxido metálico apresentam enorme potencial em aplicações de nano-sensoriamento de diferentes gases e substâncias químicas e biológicas, bem como na aplicação a detectores UV-visível. Neste trabalho, desenvolvemos e aperfeiçoamos a síntese de nanofios de ZnO em substratos de safira (001), silício (111) e silício (100)
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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4. Cálculos de estrutura eletrônica de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: Método LDA - 1/2. / Electronic structure calculations of material and nanostructures with the inclusion of the self-energy: the LDA - 1/2 method.
Neste trabalho, utilizamos o desenvolvimento recente do método DFT/LDA-1/2 para cálculos de estados excitados em materiais. Começamos com um resumo da teoria do funcional da densidade (DFT) e incluímos uma introdução ao método LDA-1/2 para cálculos de excitações em sólidos. Na compilação dos resultados esperamos ter demonstrado a utilidade do LD
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/12/2011
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5. Homogeneidade química, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V / Chemical homogeneity, interfaces and structural defects in III-V semiconductor nanowires
O desenvolvimento de novos materias tem grande interesse devido à ocorrência de novos fenômenos e propriedades, as quais podem ser usadas em futuras aplicações tecnológicas. Em particular, nas últimas décadas, esforços imensos foram realizados buscando compreender nanomateriais e os efeitos da redução de tamanho e de dimensão. Entre os diferentes
Publicado em: 2011
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6. Condutância em Nanofios Magnéticos Diluídos / Conduct NCIA wires in Nano Magn à ticos Dilu Ados
Investigamos nanofios de semicondutores magnéticos diludos (DMSs - Diluted Magnetic Semiconductors) do tipo caroco-casca com dopagem remota tipo-n. A incorporação dos íons de Mn+2, que atuam como impurezas de spin 5/2 no caroço do fio, faz surgir um forte acoplamento de troca s-d entre os eletrons do fio e aqueles dos níveis d do íon Mn+2. Com a aplic
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/02/2010
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7. Nanofios de óxido de zinco e nanofitas de grafeno:: fabricação, estrutura e propriedades de transporte opto-eletrônico
Nessa tese, estudamos a fabricação e propriedades de transporte elétrico em nanoestruturas como nanofios de ZnO e grafeno. Em nanofios de ZnO, elaboramos um trabalho sobre o mecanismo de crescimento em baixas temperaturas, onde a fabricação de nanofios de ZnO ocorre facilitada pela epitaxia entre as nanopartículas catalisadoras sólidas e os nanofios.
Publicado em: 2010
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8. Crescimento de nanofios auto-sustentados de arseneto de índio por epitaxia por feixes moleculares
This Thesis reports the experimental and theoretical works related to the growth and characterization of free-standing gallium indium arsenide nanowires grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The growth mechanisms of free-standing nanowires remain barely known and explored in its fundamental aspects. The theoretical models of the formation of free-standing n
Publicado em: 2010
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9. Condutância em Nanofios Magnéticos Diluídos / Conduct NCIA wires in Nano Magn à ticos Dilu Ados
Investigamos nanofios de semicondutores magnéticos diludos (DMSs - Diluted Magnetic Semiconductors) do tipo caroco-casca com dopagem remota tipo-n. A incorporação dos íons de Mn+2, que atuam como impurezas de spin 5/2 no caroço do fio, faz surgir um forte acoplamento de troca s-d entre os eletrons do fio e aqueles dos níveis d do íon Mn+2. Com a aplic
Publicado em: 2010
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10. Quantificação de forças na manipulação de nano-objetos individuais em experimentos "in situ" de mocroscopia eletronica / Quantification of forces on the manipulation of individual nano-objects in "in situ" experiments of electron microscopy
O estudo de nano-sistemas tem atraído grande atenção nos últimos anos, principalmente devido às suas possíveis e novas aplicações tecnológicas. Muitos esforços têm sido feitos nessa área, porém há ainda várias questões em aberto com relação à compreensão de nanoestruturas. Um dos principais desafios diz respeito à manipulação e o posic
Publicado em: 2010
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11. Optical properties of semiconductor type II quantum dots / Propriedades opticas de pontos quanticos semicondutores tipo II
No presente trabalho apresentamos um estudo da luminescência de érbio em nanocristais de silício (nc-Si) e nanofios de óxido de zinco (nw-ZnO). Os nanocristais de silício com érbio são obtidos através do tratamento térmico de filmes finos amorfos de sub-óxidos de silício (SiOx) preparados por rf-sputtering, variando a concentração de Oxigênio e
Publicado em: 2009
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12. Propriedades opticas de nanofios de InP / Optical properties of InP nanowires
Optical properties of InP nanowires grown by Vapor-Liquid-Solid (VLS) method in a Chemical Beam Epitaxy system were investigated by using micro-photoluminescence spectroscopy varying experimental parameters such as excitation power, emitted signal polarization and sample temperature. Due to polytypism (InP in cubic, zincblende (ZB), and hexagonal, wurtzite (
Publicado em: 2009