Nanolitografia
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1. Síntese, fotoluminescência e caracterização elétrica de nanoestruturas de ZnO
Nanofios semicondutores de óxido metálico apresentam enorme potencial em aplicações de nano-sensoriamento de diferentes gases e substâncias químicas e biológicas, bem como na aplicação a detectores UV-visível. Neste trabalho, desenvolvemos e aperfeiçoamos a síntese de nanofios de ZnO em substratos de safira (001), silício (111) e silício (100)
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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2. Transferência de spin em nanopilares e nanocontatos magnéticos
Neste trabalho serão apresentados resultados recentes de estudos de magnetorresistência gigante (GMR), na configuração corrente perpendicular ao plano, e de transferência de spin (TS) em multicamadas magnéticas. Para tal foram desenvolvidos sistemas de análise magnetorresistiva, assim como a preparação de amostras. O ponto fundamental para este tipo
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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3. THE NATURE OF PLASTIC DEFORMATION OF III-V SEMICONDUCTORS RESULTING FROM ATOMIC FORCE MICROSCOPY NANOLITHOGRAPHY / A NATUREZA DA DEFORMAÇÃO PLÁSTICA EM SEMICONDUTORES III-V RESULTANTE DA NANOLITOGRAFIA POR MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA
Neste trabalho foi estudada a deformação mecânica em semicondutores III-V resultante da nanolitografia por microscopia de força atômica (AFM). O AFM, equipado com uma ponta de diamante de raio de curvatura de 80 nm, foi usado para riscar a superfície do InP com forças da ordem de dezenas de mN ao longo de direções cristalográficas específicas. O p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/06/2011
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4. Nanomanipulação de superfície polimérica: nanolitografia.
2007
São Carlos. Publicado em: 2011
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5. Nanolitografia do silício utilizando o microscópio de força atômica / Silicon nanolithography using a atomic force microscope
The semiconductor industry is increasingly interested in the miniaturization of devices in the nanometer range. As the traditional techniques of lithography are reaching their limits growth the demand for new, including those that use equipment operating by probe, such as the atomic force microscope (AFM). One of the techniques that uses AFM on to produce na
Publicado em: 2009
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6. SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURE FABRICATION IN MECHANICAL DEFECTS PRODUCED BY ATOMIC FORCE MICROSCOPY / FABRICAÇÃO DE NANOESTRUTURAS SEMICONDUTORAS EM DEFEITOS PRODUZIDOS POR MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA
A combinação de alta densidade, locais seletivos de nucleação e controle da distribuição de tamanho de nanoestruturas semicondutoras tem acelerado o desenvolvimento de dispositivos ópticos e eletrônicos. Para construir estruturas satisfazendo essas necessidades, várias combinações de técnicas deposição de pontos quânticos e nanolitografia fora
Publicado em: 2008
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7. Electrical resistivity anisotropy in nanostructured thin films. / Anisotropia de resistividade elétrica em filmes finos nanoestruturados.
O objetivo principal deste trabalho foi desenvolver um dispositivo de filme fino com anisotropia de resistividade elétrica. A idéia foi usar um efeito quântico presente em filmes muito finos de materiais condutores ou semicondutores com morfologia anisotrópica na superfície. A morfologia foi um perfil unidirecional quase-senoidal. As resistividades fora
Publicado em: 2007
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8. Aplicação do modo de nanolitografia de um microscópio de força atômica para a estruturação de superfícies
Neste trabalho, estudamos o processo de nanoestruturação de superfícies por microscopia de força atômica. O processo de indução mecânica de deformações foi abordado sob o enfoque de duas técnicas: a aragem dinâmica e a aragem estática. Essas técnicas foram aplicadas para nanoestruturar diferentes materiais (polímeros e metais). Investigamos a
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2007
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9. Silicon nano-oxidation using AFM tips. / Nano-oxidação do silício utilizando sonda de AFM.
Local anodic oxidation of silicon using Atomic Force Microscopy (AFM) was investigated by applying a negative voltage between silicon nitride tip and Si surfaces. All samples were cleaned with an ammonium-based solution known in literature as standard cleaning 1 (SC1) or a dip in a diluted hydrofluoric acid solution followed by SC1 or, also, boiling in isopr
Publicado em: 2007
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10. Estudo de propriedades eletricas no sistema tensionado InAs/InP
Este trabalho teve como objetivo implementar novas técnicas de microscopia por varredura com ponta de prova no equipamento existente no LPD/DFA/UNICAMP e aplicá-las ao estudo de propriedades elétricas de nanoestruturas semicondutoras. Em particular, foi necessário projetar, construir e implementar no microscópio, um circuito eletrônico de medição de
Publicado em: 2002