Nitreto De Galio
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1. Deposição de A/N por sputtering não reativo
Neste trabalho depositamos via magnetron sputtering de rádio-frequência não reativo nanofilmes de nitreto de alumínio (AlN). Os nanofilmes de nitreto de alumínio são materiais semicondutores com alta condutividade térmica, elevado ponto de fusão, piezoeletricidade e largo "bandgap"(6;2 eV) com estrutura cristalina wurtzítica hexagonal, pertencentes
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/01/2011
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2. Estudo da formação de defeitos em uma monocamada hexagonal de GaN Via DFT.
O estudo de sistemas de baixa dimensionalidade, tais como nanotubos de carbono, fulerenos e o grafeno, cada vez mais têm atraído o interesse científico tanto teórico quanto experimental. Inspirado pela produçãoo experimental do grafeno e de monocamadas de outras espécies químicas, em conjunto com a evidência experimental dos nanotubos de nitreto de
Publicado em: 2010
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3. Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma / Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulato
Publicado em: 2007
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4. Polaritons de exciton em super-redes semicondutoras
Neste trabalho estudamos o espectro (modos de volume e de superfície) dos polaritons de exciton em uma super-rede binária infinita e semi-infinita (tal como, ABABA), onde um meio semicondutor (A), cuja função dielétrica depende da frequência e do vetor de onda, alterna-se com um dielétrico comum (B). Aqui, o meio A será modelado por um semicondutor d
Publicado em: 2004
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5. SÍNTESE DE PÓS DE NITRETO DE GÁLIO POR REAÇÃO GÁS-SÓLIDO UTILIZANDO CARBONO COMO AGENTE REDUTOR / SYNTHESIS OF GALLIUM NITRIDE POWDER FROM GAS-SOLID REACTION USING CARBON AS REDUCING AGENT
O nitreto de gálio (GaN) é um dos mais interessantes e promissores materiais para aplicação em dispositivos óptico- eletrônicos. GaN pode ser usado para a fabricação de diodos e lasers azuis. O desenvolvimento deste tipo de material está relacionado com três campos principais: 1) deposição de camadas de GaN cristalino; 2) produção de nano- fila
Publicado em: 2002
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6. Termodinamica estatistica e transporte em semicondutores de gap largo em campos eletricos moderados para intensos
Apresentamos um estudo extenso e detalhado do estado termodinâmico de não-equilíbrio, e de propriedades ópticas e de transporte de semicondutores polares de gap direto na presença de campos elétricos moderados e intensos. Para tal fim recorremos à teoria cinética quântica não-linear, que é baseada num atual e poderoso formalismo mecânico estatís
Publicado em: 2001