Oxido De Porta Fino
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1. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica. / Electrical characterization of capacitors obtained through extreme-submicrometer technology.
In this work we present the study of polysilicon depletion and the gate tunneling current effects in thin-gate oxide devices. Characteristic curves of capacitance as a function of the gate voltage (C-V) were used to analyze the degradation caused for these effects. Regarding the poly depletion effect, a reduction of the total capacitance in the inversion reg
Publicado em: 2006
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2. Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR
Esta dissertação descreve a obtenção e a caracterização de ultra-finos (5 à 0,5 nm) de oxinitreto de silício (SiOxNy) através da oxidação e/ou nitretação por plasma ECR (Electron Cyclotron Resonance) de alta densidade. O interesse nestes filmes isolantes e nesta tecnologia, que permite reduzir o stress térmico sobre as lâminas, cresce à medid
Publicado em: 2004
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3. Obtenção de filmes finos de oxidos semicondutores ternarios de banda larga pelo processo de decomposição de precursores metalorganicos
Neste trabalho, o processo de Decomposição de Precursores Metalorgânicos (MOD) foi utilizado na preparação de sólidos policristalinos e filmes finos de óxidos ternários do tipo Cd2SnO4 e Cd2M2O7 (M = Sb e Nb). Esses óxidos são chamados de semicondutores de banda larga e apresentam, simultaneamente, duas propriedades de interesse científico e tecno
Publicado em: 2002