Oxidos Semicondutores
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1. Estudo fotoeletroquímico de filmes finos nanoestruturados de óxidos metálicos: Aplicação na fotooxidação da água / Photoelectrochemical study of nanostructured thin films of metal oxides: Application in the photooxidation of water
Muitas pesquisas buscam o desenvolvimento de células fotoeletroquímicas (PECs) capazes de converter eficientemente energia solar em hidrogênio por meio da fotoeletrólise da água. Recentemente, diversas estratégias têm sido desenvolvidas para fabricação materiais semicondutores destinados a aplicação como fotoanodos em PECs. Neste contexto, esta di
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/02/2012
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2. Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes. / Physical properties of SnO2: defects, impurities, alloys and superlattices.
O dioxido de estanho na estrutura rutila (SnO2) é um semicondutor de gap largo e faz parte da classe dos óxidos condutores transparentes (TCO). Possui gap direto de 3,6 eV e condutividade do tipo n, mesmo quando não dopado intencionalmente. Estudos teóricos e experimentais atribuem este comportamento à presença de defeitos intrínsecos. Por outro lado,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/08/2011
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3. Estudo sistemático das propriedades eletrônicas e estruturais de semicondutores bidimensionais com estrutura tipo grafeno / Systematic study of structural and electronic properties of semiconductor two-dimensional with graphene-like structure
A recente síntese do grafeno mostrou que cristais estritamente bidimensionais são verdadeiramente estáveis. A alta qualidade deste cristal e as propriedades diferentes presentes nele fazem deste um material promissor. Estudos teóricos e experimentais têm mostrado que não apenas o grafeno pode ser estável e mostrar propriedades interessantes, mas tamb�
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/02/2010
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4. Determinação de capacitâncias e propriedades semicondutoras de óxidos sobre aços inoxidáveis em solução tampão de borato e em líquido iônico
As propriedades semicondutoras de filmes passivos foram comparativamente estudadas, em solução tampão de borato pH 9,2 e em BMMITFSI, um Líquido Iônico (LI) a temperatura ambiente com diferentes concentrações de água por medidas de capacitância através da usual abordagem de Mott-Schottky. Para tal, aços inoxidáveis AISI304L e AISI420 foram anodiz
Publicado em: 2010
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5. Produção e caracterização de filmes finos de ZnO / Production and characterization of ZnO thin films
Dentre os óxidos semicondutores, o ZnO tem recebido considerável atenção como um material promissor para diversas aplicações em dispositivos opto-eletrônicos devido a sua alta transparênciaóptica na faixa do visível e boa condutividade elétrica alcançada por dopagem com elementos adequados. O presente trabalho, desenvolvido parte no Laboratório
Publicado em: 2010
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6. Propriedades eletrônicas e processos de transporte em materiais semicondutores nano-estruturados / Electronic properties and transport processes in nano-structured semiconductor materials
Os mecanismos de confinamento e transporte em escala nanométrica continuam a ser um desafio em Física do Estado Sólido, uma vez que tanto a dimensionalidade quanto o tamanho dos dispositivos continuam a ser reduzidos. Desta forma, o estudo e entendimento do transporte em materiais amorfos e nano-cristalinos, que apresentam acoplamento de processos de tran
Publicado em: 2010
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7. Estudo das propriedades estruturais e de transporte eletrônico em nanoestruturas de óxidos semicondutores e metálicos
Neste trabalho foram investigadas características estruturais e de transporte eletrônico em nanoestruturas óxidas sintetizadas por métodos baseados em fase de vapor: os métodos VLS e VS. Amostras de In2O3 e ITO foram caracterizadas quanto às suas características estruturais usando-se técnicas experimentais como XRD, HRTEM e FEG-SEM e comprovou-se que
Publicado em: 2010
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8. Sintese de nanoparticulas de oxidos semicondutores tipo caroço-casca em ambiente confinado / Synthesis of semiconductors oxides core-shell nanoparticles into confined ambient
Este trabalho reporta o estudo e o desenvolvimento da metodologia de síntese e de caracterização de nanopartículas isoladas e nanopartículas heteroestruturadas caroço@casca (NCC) envolvendo os óxidos semicondutores (TiO2, CeO2 e SnO2) impregnados em suporte poroso funcional (vidro poroso Vycor ¿ PVG). Empregou-se a metodologia de Ciclos de Impregnaç
Publicado em: 2009
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9. Optical properties of semiconductor type II quantum dots / Propriedades opticas de pontos quanticos semicondutores tipo II
No presente trabalho apresentamos um estudo da luminescência de érbio em nanocristais de silício (nc-Si) e nanofios de óxido de zinco (nw-ZnO). Os nanocristais de silício com érbio são obtidos através do tratamento térmico de filmes finos amorfos de sub-óxidos de silício (SiOx) preparados por rf-sputtering, variando a concentração de Oxigênio e
Publicado em: 2009
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10. Tin and zinc oxides semiconductor devices / Dispositivos semicondutores a partir de óxidos de estanho e zinco
This work presents the study and development of semiconductor devices base on tin and zinc oxides. The first device is related to the development of pH sensors based on field effect, while the second device uses surface acoustic waves for the transport of carriers related to a single photon detector device. Initially, the semiconductors were used as hydrogen
Publicado em: 2009
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11. Growth and characterization of low dimensional structures for applications in the visible spectrum / Crescimento e caraterização de estruturas de baixa dimensionalidade para aplicações no espectro visivel
Os nitretos (Ga, Al, In)N assim como os compostos GaInP, GaCuO2, representam um sistema de materiais muito importante para as aplicações em opto-eletrônica e dispositivos tais como os diodos emissores de luz (LEDs), lasers e nanosensores. Entretanto, o requisito essencial para as aplicações industriais desses materiais é a redução em seus tamanhos. N
Publicado em: 2007
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12. Síntese de manganita de lantânio com substituição parcial do La por Sr pelo método citrato
As Manganitas de Lantânio são óxidos cerâmicos semicondutores intrínsecos do tipo p com estrutura perovsquita. A dopagem adequada nos sítios A, nesse material, aumenta a condutividade elétrica tornando-o apropriado para ser utilizado na produção de células a combustível de óxido sólido (solid oxide fuel cell - SOFC), operando em temperaturas pr�
Matéria (Rio de Janeiro). Publicado em: 2007