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1. Localização de Anderson e transição metal-isolante em filmes de Pb1-xEuxTe do tipo p / Anderson Localization and Metal-Insulator Transition in p - type Filmes of Pb1-xEuxTe
Neste trabalho, realizamos o estudo da transição metal-isolante e da localização de Anderson na liga de Pb1-xEuxTe do tipo p para x variando de 0 até 0.1. As propriedades de transporte nessa liga (mobilidade, concentração de portadores e resistividade elétrica) foram obtidas utilizando o método de caracterização elétrica por efeito Hall entre as
Publicado em: 2008
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2. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/02/2007
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3. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007
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4. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007
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5. Propriedades Magneto-Ópticas do Pb(x)Eu(1-X)Te COM 0 ≤ x ≤ 0.2 / MAGNETO-OPTICAL PROPERTIES OF Pb(x)Eu(1-X)Te WITH 0 ≤ x ≤ 0.2
The optical properties of epitaxial samples of PbxEu1-xTe with 0 ≤ x ≤ 0.2 have been investigated by photoluminescence measurements at various temperatures and magnetic fields and through transmittance and reflectance measurements at room temperature. The samples were grown by molecular beam epitaxy in a Riber 32p MBE system at LAS-INPE o
Publicado em: 2007
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6. Growth and structural characterization of PbTe/PbEuTe double barrier
A series of PbTe/PbEuTe double barrier samples with different barrier widths were successfully grown on BaF2 substrates by molecular beam epitaxy. The electron concentration of PbTe spacer and well layers was controlled by the deviation from stoichiometry, while the buffer and cap layers were intentionally doped with bismuth to obtain low-resistivity layers
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-06