Perfil De Dopantes
Mostrando 1-7 de 7 artigos, teses e dissertações.
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1. Redistribuição e ativação de dopantes em Si com excesso de vacâncias
A redistribuição e ativação elétrica dos dopantes tipo n (As e Sb) e tipo p (Ga e In) em Si com excesso de vacâncias foram analisadas. As vacâncias foram geradas por implantação iônica de altas doses de oxigênio ou nitrogênio em alta temperatura, de acordo com procedimentos já estudados. Em seguida foram implantados os dopantes com dose de 5x101
Publicado em: 2009
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2. Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX
Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado foram usadas. As implantações de As+ foram feitas com a energia de 20 keV e doses de 5x1014cm-2 ou 2x1015cm-2. Um perfil em form
Publicado em: 2008
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3. Metodologia computacional para o projeto de dispositivos semicondutores nanoestruturados / Computational methodology for the design of nanostructured semiconductor devices
Nanoestruturas semicondutoras como poços, fios e pontos quânticos possuem inúmeras aplicações de interesse tecnológico. Como exemplo pode-se citar sua utilização em lasers, detectores de infravermelho, transistores, spintrônica, na medicina e, prevê-se que, futuramente, sejam essenciais na computação quântica. O domínio dessa tecnologia é visa
Publicado em: 2008
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4. Metodologia computacional para o projeto de dispositivos semicondutores nanoestruturados / Computational methodology for the design of nanostructured semiconductor devices
Nanoestruturas semicondutoras como poços, fios e pontos quânticos possuem inúmeras aplicações de interesse tecnológico. Como exemplo pode-se citar sua utilização em lasers, detectores de infravermelho, transistores, spintrônica, na medicina e, prevê-se que, futuramente, sejam essenciais na computação quântica. O domínio dessa tecnologia é visa
Publicado em: 2008
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5. Junções rasas em Si e SIMOX
Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia de 20 keV. Após as implantações, as amostras foram recozidas por um dos dois processos a seguir: recozimento rápido (RTA, Rapid T
Publicado em: 2007
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6. Caracterização de filmes ópticos compósitos nano-estruturados, inomogêneos ou anisotrópicos, produzidos por troca iônica e pelo método sol-gel
Este trabalho tem como objetivo o desenvolvimento e a aplicação de métodos de caracterização de filmes ópticos, associados à sua estrutura inomogênea ou anisotrópica. Os materiais estudados são guias ópticos planares e filmes compósitos com propriedades ópticas não-lineares. Esses materiais são relevantes para aplicações na área de optoelet
Publicado em: 2007
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7. High efficiency silicon solar cells: theoretical optimizations and experimental developments using low cost processes. / Células solares de silício de alto rendimento: otimizações teóricas e implementações experimentais utilizando processos de baixo custo.
O trabalho realizado nesta tese esteve apoiado em dois objetivos principais. O primeiro centrado na otimização das etapas e processos de fabricação de células solares de silício de alto rendimento envolvendo redução de custos. O segundo objetivo foi direcionado na implementação de células solares eficientes e não dependentes do armadilhamento de
Publicado em: 2007