Poaos Quanticos De Semicondutores
Mostrando 1-7 de 7 artigos, teses e dissertações.
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1. AnÃis quÃnticos semicondutores ideais / Ideal semiconductor quantum rings
Nos Ãltimos anos, numerosos avanÃos alcanÃados nas tÃcnicas de crescimento de materiais deram origem à formaÃÃo de vÃrias heteroestruturas de semicondutores, onde se podem confinar elÃtrons e buracos em uma ou mais direÃÃes, atravÃs de barreiras de potencial. Muitos pesquisadores recentemente tÃm estudado estruturas de baixas dimensionalidades,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/08/2011
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2. Prorpiedades de transportes em fios e poÃos quÃnticos. / Transport Properties of Quantum Wells and Quantum Wires
Materiais semicondutores sÃo os principais responsÃveis pelo grande crescimento da indÃstria eletrÃnica e pelo surgimento de novas tecnologias. A criaÃÃo de heteroestruturas possibilitou um grande impulso à fÃsica do estado sÃlido. Atualmente, o estudo de semicondutores està concentrado em sistemas de dimensionalidade reduzida, como os poÃos, fios
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/07/2009
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3. Confinamento quÃntico em hetero-estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade.
Os materiais semicondutores sÃo responsÃveis pelo grande desenvolvimento na indÃstria eletrÃnica e surgimento de novas tecnologias. O conceito de hetero-estrutura deu um grande impulso à fÃsica do estado sÃlido. à impossÃvel imaginar a moderna fÃsica do estado sÃlido sem hetero-estruturas semicondutoras. A fÃsica de semicondutores està atualment
Publicado em: 2008
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4. Three-band quantum well infrared photodetector using interband and intersubband transitions.
This thesis presents the modeling, design, fabrication and characterization of a quantum well infrared photodetector (QWIP) capable of detecting near infrared (NIR), mid wavelength infrared (MWIR) and long wavelength infrared (LWIR), simultaneously. The NIR detection was achieved using interband transition while MWIR and LWIR were based on intersubband trans
Publicado em: 2008
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5. Confinamento em fios quÃnticos semicondutores. / Confinamento em fios quÃnticos semicondutores.
AvanÃos nas tÃcnicas de crescimento tÃm tornado possÃvel a fabricaÃÃo de estruturas semicondutoras unidimensionais em escala nanomÃtrica, chamadas de fios quÃnticos. O interesse nestas estruturas tem crescido bastante, devido a suas aplicaÃÃes em dispositivos eletrÃnicos e tambÃm devido a sua quÃmica ser facilmente manipulÃvel. Em particular, t
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/07/2007
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6. Confinamento DielÃtrico versus QuÃntico em Nanoestruturas
Esse trabalho tem por objetivo estudar sistemas quÃnticos de baixa dimensionalidade do tipo poÃos quÃnticos GaN/HfO2 e Si/High-k. Investigamos propriedades eletrÃnicas, Ãpticas e estados de impurezas em poÃos quÃnticos GaN/HfO2, levando em consideraÃÃo efeito de cargas imagem devido à descontinuidade das constantes dielÃtricas dos materiais do po�
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/07/2006
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7. Efeito Rashba em nanoestruturas de materiais semicindutores do tip IV-VI.
Esta tese trata do Efeito Rashba ou interaÃÃo spin- Ãrbita em nanoestruturas semicondutoras de materiais do tipo IV-VI. Os materiais semicondutores do tipo IV-VI apresentam uma estrutura de mÃltiplos vales e uma forte interaÃÃo spin-Ãrbita, sendo bons candidatos para aplicaÃÃes em spintrÃnica. As energias dos estados quantizados para eletrons confi
Publicado em: 2002