Poco Quantico Parabolico
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1. Molecular beam epitaxy of p-type doped layers for the construction of optoelectronic devices / Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos
Durante as últimas três décadas, a epitaxia por feixe molecular se estabeleceu como uma técnica excelente para o crescimento de camadas semicondutoras de alta qualidade, tanto para a construção de dispositivos quanto para a pesquisa básica. No entanto ainda não existe um método universalmente aceito para obter-se camadas dopadas do tipo p nesta téc
Publicado em: 2004