Porta Tripla
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1. Influência do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado. / Influence of Selective Epitaxial Growth (SEG) in strained SOI triple gate N transistors.
Este trabalho apresenta um estudo da influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em dispositivos tensionados mecanicamente (strain) em transistores SOI MuGFET de porta tripla. Com a evolução da tecnologia de integração de transistores, alguns efeitos parasitários são eliminados ou diminuídos, porém outros novos surgem. A tecnologia SOI MuGFET
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/05/2011
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2. Mudas de pera produzidas por dupla enxertia em marmeleiro utilizando o porta-enxerto 'Japonês'.
Resumo ? O objetivo deste trabalho foi avaliar a viabilidade do uso do marmeleiro 'Japonês' como porta-enxerto para cultivares de pereira com interenxertos de outras cultivares de marmeleiro em dupla enxertia. Pereiras 'Seleta' e 'Triunfo' foram enxertadas pelo processo de borbulhia e garfagem em garfos de 15 cm dos marmeleiros 'Portugal', 'Provence', 'Mend
Pesquisa Agropecuária Brasileira. Brasília. Publicado em: 2011
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3. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. / Study of SOI multiple gate transistors with gate oxide of high dieletric constant and metal gate electrode.
Este trabalho tem como objetivo investigar o comportamento de transistores SOI de porta tripla com óxido de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta de metal. Inicialmente estudou-se a aplicação dos métodos de extração de parâmetros através de curvas da capacitância, previamente desenvolvidos para estruturas SOI planares, em dispositi
Publicado em: 2010
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4. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas. / Study of carriers mobility in planar and multiple gate SOI devices.
Este trabalho apresenta o estudo do comportamento da mobilidade de portadores em transistores SOI nMOS e pMOS avançados planares e de porta tripla através de simulações tridimensionais e resultados experimentais. Devido à sua estrutura física, os transistores de porta tripla apresentam duas mobilidades, uma referente ao canal de condução na porta sup
Publicado em: 2010
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5. Mudas de pera produzidas por dupla enxertia em marmeleiro utilizando o porta-enxerto 'Japonês'
O objetivo deste trabalho foi avaliar a viabilidade do uso do marmeleiro 'Japonês' como porta-enxerto para cultivares de pereira com interenxertos de outras cultivares de marmeleiro em dupla enxertia. Pereiras 'Seleta' e 'Triunfo' foram enxertadas pelo processo de borbulhia e garfagem em garfos de 15 cm dos marmeleiros 'Portugal', 'Provence', 'Mendoza Inta-
Pesquisa Agropecuária Brasileira. Publicado em: 2009-12
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6. Study of the source and drain series resistance in SOI FinFETs triple gate transistors and with strained channel. / Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
This work presents the study of the source and drain series resistance behavior in standard and strained SOI FinFETs triple gate transistors. In SOI FinFETs transistors there is an increase of the source and drain series resistance due to the narrow of these regions, being this parameter a key limiting factor to the next generations. The use of strained tran
Publicado em: 2009
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7. Utilização de filmes de carbono tipo-diamante nitrogenados e fluorados como materiais eletrônicos.
Este trabalho tem por objetivo principal estudar as alterações que possam vir a ocorrer nas propriedades eletrônicas do filme de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H), em virtude da incorporação dos aditivos nitrogênio e flúor. A deposição dos filmes a-C:H, a-C:H:N e a-C:H:F que foram estudados neste projeto de doutorado foi realizada através da técn
Publicado em: 2008