Potenciais Interatomicos
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1. Avaliação de diferentes potenciais interatômicos no cálculo do tensor de elasticidade do tungstato de zircônio
O Tungstato de Zircônio (ZrW2O8) é um material que exibe Expansão Térmica Negativa (ETN), isotrópica em um amplo intervalo de temperatura (0,3 a 1050 K). Apesar de amplamente estudado, existem controvérsias acerca dos mecanismos microscópicos responsáveis por este comportamento. A fase cúbica deste composto, denominada a-ZrW2O8, já foi motivo de es
Publicado em: 2009
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2. Calculo da condutividade termica do Argônio solido puro e com defeito pontual / Calculation of thermal conductivity of solid argon with pure and defect-off
Neste trabalho, usando o metodo de Green-Kubo combinado com a Dinâmica Molecular (DM), calculamos a condutividade termica do Argônio solido "livre de defeitos"e com defeitos pontuais presentes, para um intervalo de temperatura variando de 10 a 60 K e uma densidade de 22,3 ml/mol. Os resultados obtidos estão em pleno acordo com os resultados teoricos e exp
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/03/2008
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3. Calculo da condutividade termica do Argônio solido puro e com defeito pontual / Calculation of thermal conductivity of solid argon with pure and defect-off
Neste trabalho, usando o metodo de Green-Kubo combinado com a Dinâmica Molecular (DM), calculamos a condutividade termica do Argônio solido "livre de defeitos"e com defeitos pontuais presentes, para um intervalo de temperatura variando de 10 a 60 K e uma densidade de 22,3 ml/mol. Os resultados obtidos estão em pleno acordo com os resultados teoricos e exp
Publicado em: 2008
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4. Defeitos pontuais nos compostos intermetálicos ZrNi e Zr/sub 2/Ni estudados por dinâmica molecular
Empregamos a técnica de Dinâmica Molecular para estudar propriedades de defeitos pontuais nos compostos intermetálicos ZrNi e Zr2Ni. Descrevemos as configurações estáveis de defeitos e mecanismos de migração, assim como as energias envolvidas. Os potenciais interatômicos foram derivados do Embedded Atom Model. No intuito de levar em conta a variaç�
Publicado em: 2007
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5. Estabilidade e plasticidade de nanofios de silício. / Stability and plasticity of silicon nanowires.
Avanços recentes na síntese e manipulação de nanofios semicondutores têm aberto novas oportunidades tecnológicas. Nanofios de silício (SiNWs) pertencem a uma classe única de nanofios semicondutores, pelo fato de que, em um futuro próximo eles possam ser utilizados como elementos de integração entre dispositivos dentro do contexto da tecnologia do
Publicado em: 2006