Resistencia Serie De Fonte E Dreno
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1. Double-gate nanotransistors in silicon-on-insulator : simulation of sub-20 nm FinFETs / Nano-transistores de porta dupla em silício sobre isolante simulação de FinFETs sub-20nm
Esta Tese apresenta os resultados da simulação do transporte eletrônico em três dimensões (3D) no nano dispositivo eletrônico conhecido como ¿SOI-FinFET¿. Este dispositivo é um transistor MOS em tecnologia Silício sobre Isolante ¿ ¿Silicon-on- Insulator¿, SOI ¿ com porta dupla e cujo canal e zonas de fonte e dreno são realizadas em uma estrutu
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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2. Study of the source and drain series resistance in SOI FinFETs triple gate transistors and with strained channel. / Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
This work presents the study of the source and drain series resistance behavior in standard and strained SOI FinFETs triple gate transistors. In SOI FinFETs transistors there is an increase of the source and drain series resistance due to the narrow of these regions, being this parameter a key limiting factor to the next generations. The use of strained tran
Publicado em: 2009