Semiconductors Nanowires
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1. Homogeneidade química, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V / Chemical homogeneity, interfaces and structural defects in III-V semiconductor nanowires
O desenvolvimento de novos materias tem grande interesse devido à ocorrência de novos fenômenos e propriedades, as quais podem ser usadas em futuras aplicações tecnológicas. Em particular, nas últimas décadas, esforços imensos foram realizados buscando compreender nanomateriais e os efeitos da redução de tamanho e de dimensão. Entre os diferentes
Publicado em: 2011
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2. Condutância em Nanofios Magnéticos Diluídos / Conduct NCIA wires in Nano Magn à ticos Dilu Ados
Investigamos nanofios de semicondutores magnéticos diludos (DMSs - Diluted Magnetic Semiconductors) do tipo caroco-casca com dopagem remota tipo-n. A incorporação dos íons de Mn+2, que atuam como impurezas de spin 5/2 no caroço do fio, faz surgir um forte acoplamento de troca s-d entre os eletrons do fio e aqueles dos níveis d do íon Mn+2. Com a aplic
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/02/2010
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3. Condutância em Nanofios Magnéticos Diluídos / Conduct NCIA wires in Nano Magn à ticos Dilu Ados
Investigamos nanofios de semicondutores magnéticos diludos (DMSs - Diluted Magnetic Semiconductors) do tipo caroco-casca com dopagem remota tipo-n. A incorporação dos íons de Mn+2, que atuam como impurezas de spin 5/2 no caroço do fio, faz surgir um forte acoplamento de troca s-d entre os eletrons do fio e aqueles dos níveis d do íon Mn+2. Com a aplic
Publicado em: 2010
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4. Estudo ab initio de impurezas de B e N em nanofios de SiC
Neste trabalho foi realizado um estudo da estabilidade e das propriedades eletrônicas e estruturais de nanofios de SiC crescidos nas direções (100) e (111). Foram consideradas estruturas terminadas em Si e em C para o fio crescido na direção (100), e em ambas as direções os fios foram saturados com átomos de hidrogênio nas ligações pendentes da su
Publicado em: 2008
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5. Nanocomposites and nanostructures of II-VI and IV-VI semiconductors / Nanocompositos e nanoestruturas de semicondutores das familias II-VI e IV-VI
The development of nanostructures and their applications constitute one of the most exciting scientific areas. A great number of studies in this area concern the preparation methods. Generally, they are classified in physical and chemical methods. The former class is based on molecular beam and lithography techniques, while the latter involves chemical react
Publicado em: 2007
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6. Growth and characterization of low dimensional structures for applications in the visible spectrum / Crescimento e caraterização de estruturas de baixa dimensionalidade para aplicações no espectro visivel
Os nitretos (Ga, Al, In)N assim como os compostos GaInP, GaCuO2, representam um sistema de materiais muito importante para as aplicações em opto-eletrônica e dispositivos tais como os diodos emissores de luz (LEDs), lasers e nanosensores. Entretanto, o requisito essencial para as aplicações industriais desses materiais é a redução em seus tamanhos. N
Publicado em: 2007