Semicondutores Ii Iv
Mostrando 1-12 de 18 artigos, teses e dissertações.
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1. Desenvolvimento de um sistema de aquisição de dados e de controle para a realização de ensaios de emissão eletrônica na câmara de ultra alto vácuo / Development of a data acquisition and control system for electron emission tests in an ultra high vacuum chamber
Foi projetado e desenvolvido um sistema de aquisição de dados e controle para viabilizar, de forma automatizada, a caracterização de emissividade eletrônica em catodos frios, por meio da utilização da câmara de ultra alto vácuo do Departamento de Semicondutores, Instrumentação e Fotônica - DSIF, da Faculdade de Engenharia Elétrica e Computação
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 02/07/2012
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2. Estudo da interação interfacial entre polímeros semicondutores e metais ou surfactantes / Investigation of interfacial interaction between polymers and metal or surfactants
Esta Tese aborda duas importantes vertentes de pesquisa em polímeros conjungados (PC), bastante relevantes na Eletrônica Orgânica (EO) e na área de Biossensores. Com respeito à EO, estudam-se as interfaces PC - metal (M) por meio da espectroscopia vibracional de Geração de Soma de Frequências, cuja sigla mais comum é SFG - derivada do seu nome ingl�
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/09/2011
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3. Estudo sistemático das propriedades eletrônicas e estruturais de semicondutores bidimensionais com estrutura tipo grafeno / Systematic study of structural and electronic properties of semiconductor two-dimensional with graphene-like structure
A recente síntese do grafeno mostrou que cristais estritamente bidimensionais são verdadeiramente estáveis. A alta qualidade deste cristal e as propriedades diferentes presentes nele fazem deste um material promissor. Estudos teóricos e experimentais têm mostrado que não apenas o grafeno pode ser estável e mostrar propriedades interessantes, mas tamb�
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/02/2010
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4. Síntese e caracterização de filmes à base de Si e Ge dopados com espécies magnéticas / Synthesis and characterization of Si and Ge based films doped with magnetic species
Along the last few years, the doping of semiconductors (either II-VI, IV-VI, III-V, and group-IV compounds) with magnetic species have been extensively studied due to their potential applications in spintronics. Among them, Si- and Ge-based magnetic semiconductors are very attractive because of their total compatibility with the well-established current semi
Publicado em: 2010
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5. Sintese de nanoparticulas de oxidos semicondutores tipo caroço-casca em ambiente confinado / Synthesis of semiconductors oxides core-shell nanoparticles into confined ambient
Este trabalho reporta o estudo e o desenvolvimento da metodologia de síntese e de caracterização de nanopartículas isoladas e nanopartículas heteroestruturadas caroço@casca (NCC) envolvendo os óxidos semicondutores (TiO2, CeO2 e SnO2) impregnados em suporte poroso funcional (vidro poroso Vycor ¿ PVG). Empregou-se a metodologia de Ciclos de Impregnaç
Publicado em: 2009
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6. Nanocomposites and nanostructures of II-VI and IV-VI semiconductors / Nanocompositos e nanoestruturas de semicondutores das familias II-VI e IV-VI
The development of nanostructures and their applications constitute one of the most exciting scientific areas. A great number of studies in this area concern the preparation methods. Generally, they are classified in physical and chemical methods. The former class is based on molecular beam and lithography techniques, while the latter involves chemical react
Publicado em: 2007
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7. Nanostructured materials of type IV and III-V doped with Mn. / Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V dopados com Mn
No presente trabalho, investigamos propriedades eletr^onicas, estruturais e de transporte de nanoestruturas do tipo IV e tipo III-V usando c´alculos de primeiros princ´?pios. (I) Como ponto de partida, verificamos sistematicamente a estabilidade do Mn substitucional nas camadas de Ge em uma heteroestrutura de Si/Ge. Estudamos a intera¸c~ao magn´etica Mn-
Publicado em: 2007
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8. Sintese e estabilização de pontos quanticos coloidais de semicondutores II-VI e IV-VI / Synthesis and stabilisation of II-VI and IV-VI semiconductor colloidal quantum dots
Not informed
Publicado em: 2005
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9. Nanocristais coloidais de semicondutores II-VI e IV-VI
This thesis studies colloidal nanocrystals of II-VI and IV-VI in the quantum confinement regime (quantum dots). This work with colloidal systems is the first in our group. The interest on these systems comes from the fact that it could explain the splitting of the fundamental state, due to the presence of stress-strain on the quantum dots interface with the
Publicado em: 2002
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10. Sistemas quimicos integrados : oxidos semicondutores (SnO2, TiO2 e Nb2O5) obtidos pelo processo MOD nos poros de matrizes com esqueleto niobofosfato e de silica (VYCOR)
Este trabalho reporta a preparação e caracterização de sistemas químicos integrados constituídos de matrizes porosas com esqueleto niobofosfato e de sílica (vidro poroso Vycor - PVG) contendo óxidos semicondutores (SnO2, TiO2 e Nb2O5), obtidos in situ nos poros, via impregnação-decomposição de compostos metalorgânicos (MOD). O esqueleto poroso n
Publicado em: 2001
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11. Fotocondutividade dependente da temperatura em filmes finos de germanio amorfo hidrogenado dopado com galio e arsenio
Nesta tese apresentamos um estudo da dependência da fotocondutividade, I P C, com a temperatura, T, em filmes finos de a-Ge:H intrínsecos e dopados tipo p, com gálio e tipo n, com arsênio, crescidas por rf-sputtering no Laboratório de Pesquisas Fotovoltáicas do IFGW/Unicamp. Foram realizados quatro tipos de medidas nas amostras: (i) I P C em função d
Publicado em: 2001
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12. Heteroestruturas de semicondutores IV-VI sobre Si obtidas por MBE para aplicaÃÃo em detectores de infravermelho.
Este trabalho investiga pela primeira vez o crescimento epitaxial por MBE - Molecular Beam Epitaxy - e anÃlise in-situ com RHEED - Reflection High Energy Electron Diffraction - de compostos IV-VI diretamente sobre silÃcio. Exceto por alguns poucos e incompletos trabalhos anteriores, esta estrutura à praticamente desconhecida. Estas heteroestruturas necess
Publicado em: 2000