Semicondutores Magneticos Diluidos
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1. Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes. / Physical properties of SnO2: defects, impurities, alloys and superlattices.
O dioxido de estanho na estrutura rutila (SnO2) é um semicondutor de gap largo e faz parte da classe dos óxidos condutores transparentes (TCO). Possui gap direto de 3,6 eV e condutividade do tipo n, mesmo quando não dopado intencionalmente. Estudos teóricos e experimentais atribuem este comportamento à presença de defeitos intrínsecos. Por outro lado,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/08/2011
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2. Condutância em Nanofios Magnéticos Diluídos / Conduct NCIA wires in Nano Magn à ticos Dilu Ados
Investigamos nanofios de semicondutores magnéticos diludos (DMSs - Diluted Magnetic Semiconductors) do tipo caroco-casca com dopagem remota tipo-n. A incorporação dos íons de Mn+2, que atuam como impurezas de spin 5/2 no caroço do fio, faz surgir um forte acoplamento de troca s-d entre os eletrons do fio e aqueles dos níveis d do íon Mn+2. Com a aplic
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/02/2010
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3. Analisys of the atomic orbitals spin information in the calculation of semiconductors strucutures properties / Análise da informação do spin dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades de estruturas semicondutoras
O presente trabalho é um estudo sobre a importância da informação dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades optoeletrônicas de heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade. O trabalho é dividido em duas partes: na primeira parte, é estudada a simetria de reversão temporal no hamiltoniano k . p, analisando a preservação da info
Publicado em: 2010
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4. Condutância em Nanofios Magnéticos Diluídos / Conduct NCIA wires in Nano Magn à ticos Dilu Ados
Investigamos nanofios de semicondutores magnéticos diludos (DMSs - Diluted Magnetic Semiconductors) do tipo caroco-casca com dopagem remota tipo-n. A incorporação dos íons de Mn+2, que atuam como impurezas de spin 5/2 no caroço do fio, faz surgir um forte acoplamento de troca s-d entre os eletrons do fio e aqueles dos níveis d do íon Mn+2. Com a aplic
Publicado em: 2010
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5. Estudo teórico da dupla dopagem de metais de transição em GaN e ZnO: ligas e heteroestruturas.
A spintrônica, que está inserida na nanotecnologia, se mostra hoje muito promissora no sentido de aprimorar outras tecnologias como a própria eletrônica convencional, a fotônica, a computação quântica, etc. Ela se baseia no transporte e manipulação do spin dos portadores em sistemas de estado sólido. No entanto, para sua implementação necessitam
Publicado em: 2009
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6. Investigação de interações hiperfinas em ZnO e Zn(1-X) Co(x)O pela técnica de correlação angular y-y perturbada / Investigation of Hyper¯ne Interactions in ZnO and Zn(1¡X)Co(X)O by means of Perturbed Angular °-° Correlation technique
O objetivo do trabalho, foi o desenvolvimento de uma metodologia de prepara»c~ao de amostras de ZnO e Zn(1¡X)Co(X)O de alta pureza baseada no processo qu¶³mico sol-gel, e a an¶alise das mesmas com a t¶ecnica de Correla»c~ao Angular ° - ° Perturbada (CAP). As t¶ecnicas de Difra»c~ao de Raios X e Microscopia Eletr^onica de Varredura tamb¶em foram u
Publicado em: 2009
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7. Simulação de propriedades magnéticas de filmes de ZnO:Mn e ZnO:Co
Neste trabalho investigamos as propriedades magnéticas de filmes de semicondutores magnéticos diluídos dos sistemas ZnO:Mn e ZnO:Co através de simulação Monte Carlo. Nas simulações consideramos a interação de superexchange e a interação RKKY (mediada por elétrons ou buracos eletrônicos). Utilizamos concentrações dos íons Mn2+ e Co2+ iguais a
Publicado em: 2008
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8. Propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras magnéticas diluídas. / Electronic properties of diluted magnetic semiconductor heterostructures
Neste trabalho e apresentado um estudo, via teoria de massa efetiva multibanda autoconsistente de heteroestruturas de semicondutores magnéticos diluídos, generalizada para incluir parâmetros de diferentes materiais. A interacao magnética e descrita por um modelo de campo médio baseado no mecanismo de troca indireta, com a possibilidade de inclusão de d
Publicado em: 2007
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9. Caracterização Ótica de Poços Quânticos de GaMnAs
Neste trabalho realizamos a caracterização ótica de hetero-estruturas semicondutoras baseadas em semicondutores magnéticos diluídos (Diluted Magnetic Semiconductor-DMS). Em particular, estudamos poços quânticos (QW) de GaAs/AlAs/Ga1-xMnxAs, com baixa concentração de Mn ( 0≤x≤0,2) crescidas em alta temperatura (450C) pela técnica de BEM
Publicado em: 2007
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10. Éxcitons em semicondutores magnéticos diluídos / Excitons in diluted magnetic semiconductors
Investigamos o tunelamento ressonante de elétrons e buracos em um pouco quântico duplo assimétrico de CdTe/CdMnTe na presença de campos elétricos e magnéticos aplicados ao longo da direção de crescimento. Mostramos que neste caso é possível alcançar uma condição de tunelamento ressonante simultâneo de elétrons e buracos com spin definido, isto
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 02/08/2006
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11. Éxcitons em semicondutores magnéticos diluídos / Excitons in diluted magnetic semiconductors
Investigamos o tunelamento ressonante de elétrons e buracos em um pouco quântico duplo assimétrico de CdTe/CdMnTe na presença de campos elétricos e magnéticos aplicados ao longo da direção de crescimento. Mostramos que neste caso é possível alcançar uma condição de tunelamento ressonante simultâneo de elétrons e buracos com spin definido, isto
Publicado em: 2006
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12. Estudo das propriedades ópticas e estruturais de nanocristais de MnTe em vidros óxidos
Nanoestruturas baseadas em Semicondutores Magnéticos Diluídos (DMS), também denominado semicondutor semimagnético, tem despertado o interesse da comunidade científica devido as suas singulares propriedades magneto-ópticas e de transporte. Recentemente, foi estudada possibilidade de manipulação de um único spin em nanocristais DMS, tornando-os um pro
Publicado em: 2006