Silicio 111
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1. Células solares bifaciais industriais em lâminas de silício finas: análise de passivação de superfícies e tipo de silício
Resumo O objetivo deste trabalho foi analisar a passivação de superfícies com SiO2 em células solares bifaciais fabricadas em lâminas finas bem como avaliar a influência do tipo de silício monocristalino utilizado para fabricar as células solares. A estrutura implementada foi a n+pp+, com fósforo na face frontal e boro e alumínio na face posterior,
Cerâmica. Publicado em: 2018-06
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2. Síntese, fotoluminescência e caracterização elétrica de nanoestruturas de ZnO
Nanofios semicondutores de óxido metálico apresentam enorme potencial em aplicações de nano-sensoriamento de diferentes gases e substâncias químicas e biológicas, bem como na aplicação a detectores UV-visível. Neste trabalho, desenvolvemos e aperfeiçoamos a síntese de nanofios de ZnO em substratos de safira (001), silício (111) e silício (100)
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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3. Correlação entre a morfologia e o transporte de elétrons em filmes finos de ferro
A proposta deste trabalho foi relacionar as características morfológicas com as respostas magnéticas, resistivas e magnetorresitivas de três amostras compostas de filmes de ferro (com espessuras de 60, 120 e 245 Å) depositados, por desbaste iônico magnético, sobre silício vicinal com direção cristalográfica de corte 111. A caracterização m
Publicado em: 2011
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4. THEORETICAL STUDY ON ANTISITES AND SUBSTITUTIONAL OXYGEN IMPURITY IN SiC NANOWIRE / ESTUDO TEÓRICO DE ANTISSÍTIOS E IMPUREZA SUBSTITUCIONAL DE OXIGÊNIO EM NANOFIO DE SiC
Neste trabalho inicialmente realizamos um estudo da estabilidade e das propriedades eletrônicas de nanofios de SiC crescido na direção [111]. Foi utilizado o método de supercélula e as ligações pendentes da superfície do nanofio de SiC foram saturadas com átomos de H. Em seguida analisamos estes nanofios na presença de antissítios e impureza subst
Publicado em: 2010
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5. Formação de ilhas metálicas de Sn e Pb em interfaces SiO2/Si e SiO2/Si3N4 via implantação iônica e tratamento térmico
Neste trabalho estudou-se a estruturação de partículas de Sn ou Pb em interfaces SiO2/Si e SiO2/Si3N4 pela técnica de implantação iônica seguida de tratamento térmico em alta temperatura. A formação de partículas de Sn em interfaces SiO2/Si foi estuda em função do tempo de recozimento em fluxo de N2. Os dados experimentais demonstraram que este
Publicado em: 2010
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6. Síntese de SiC por implantação iônica de carbono em SIMOX(111) e Si(111)
SiC é um semicondutor promissor para dispositivos eletrônicos de alta-potência, alta-freqüência e alta temperatura e a síntese de uma camada epitaxial de SiC por implantação, na superfície do Si, pode ser uma via de integração com a tecnologia de Si. Implantação em alta temperatura (600°C) através de uma capa de SiO2, recozimento pós-implanta
Publicado em: 2009
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7. Processos litográficos em filmes epitaxiais de compostos IV-VI para medidas Hall e o estudo da dopagem do telureto de chumbo com flureto de bário / Lithographic processes in epitaxial films of IV-VI compounds for Hall measurements and the study of lead telluride doping with barium flouride
A primeira parte do trabalho consistiu na implementação de técnicas de litografia para a fabricação da geometria Hall em filmes IV-VI crescidos sobre substratos de BaF_2 (111). Um estudo prévio da difusão do In em filmes de PbTe mostrou a viabilidade da utilização do In como contato metálico. Na realização dos processos litográficos, várias sol
Publicado em: 2009
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8. Ruthenium nitrosyl complexes for development of potential nitric oxide releasing materials. / Complexos de rutênio com o ligante nitrosilo no desenvolvimento de materiais potencialmente liberadores de óxido nítrico
Neste trabalho são relatados os resultados do emprego de nitrosilo complexos de rutênio para a preparação de materiais otencialmente liberadores de óxido nítrico. A partir deste objetivo inicial, três diferentes estratégias foram investigadas, a saber: i) preparação de um nitrosilo complexo de rutênio com o ligante 1,4,8,11-tetraazaciclotetradecan
Publicado em: 2008
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9. Investigation of hyperfine interactions in pure silicon and NTD silicon by means of perturbed angular γ-γ correlation spectroscopy / Investigação de interações hiperfinas em silício puro e silício NTD pela técnica de correlação angular gama-gama perturbada
In the present work, a microscopic investigation of hyperfine interactions in single crystal silicon samples was carried out by means of Perturbed Angular γ-γ Correlation technique (PAC), which is based in hyperfine interactions. In order to achieve these measurements, it was used 111In ->111Cd radioactive probe nuclei, which decay through the we
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 22/02/2007
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10. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/02/2007
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11. Nanoestruturas de ferro crescidas em superfícies vicinais de silício: morfologia, estrutura e magnetismo
Neste trabalho foram estudadas as propriedades morfológicas, estruturais e magnéticas de nanoestruturas de Fe crescidas em Si(111) vicinal. A análise de superfície foi feita usando microscopia de força atômica e microscopia de tunelamento, e as medidas de caracterização estrutural, por espectroscopia de absorção de raios-X. As propriedades magnéti
Publicado em: 2007
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12. Caracterização estrutural de pontos quânticos e filmes ultrafinos de CdTe/Si(111) / Structural characterization of CdTe/Si(111) quantum dots and ultra-thin films
Neste trabalho, foi feita a caracterização estrutural e morfológica de pontos quânticos e filmes ultrafinos de CdTe crescidos sobre substrato de Si(111) passivado com hidrogênio. As amostras foram crescidas por epitaxia de paredes quentes e caracterizadas por microscopia de força atômica e difração de raios- especular e incidência rasante.As analis
Publicado em: 2007