Super Redes De Semicondutores Dopados
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1. Espectroscopia optica em super-redes de GaAs com dopagem delta de Si
We performed the GaAs Si delta doped superlattices optical characterization, using spectroscopic techniques as photoluminescence, photoluminescence sxcitation, time resolved photoluminescence, Raman scattering and time resolved photorefletance. Their electronic structure is such that the electron gas is confined in minibands along the growth direction and pr
Publicado em: 1997
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2. Estudo teórico de gaAs dopado com átomos tipo IV / Theoretical study of GaAs doped with atoms type IV
Através de cálculos de pseudopotenciais ab initio, dentro do esquema de Car-Parrinello, investigamos diferentes defeitos no GAAS dopado com elementos do grupo IV da tabela periódica. Estudamos a formação dos níveis doadores profundos relacionados ao SI e ao GE substitucionais no Arseneto de Gálio. Esse defeito, conhecido como centro DX, de acordo com
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/01/1995