Superficie Semicondutora
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1. Caracterização de Filmes Finos: Caso do Nitreto de Alumínio Depositado Sobre Alumínio / Caracterização de Filmes Finos: Caso do Nitreto de Alumínio Depositado Sobre Alumínio
O nitreto de alumínio (AlN) é um material de alta dureza e elevada condutividade térmica, além disso é resistente a altas temperaturas e ambiente cáustico sendo, portanto, adequado para revestimentos de proteção e com grande potencial de aplicação como cerâmica semicondutora na indústria microeletrônica. Estas propriedades o colocam como materia
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/07/2011
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2. Microscopia de força atômica em materiais biológicos : biossensores e nanoferramentas / Atomic force microscopy on biological materials : biosensors and nanotools
Na primeira parte deste trabalho, nós investigamos o processo de crescimento de um biofilme de bactérias (Xylella fastidiosa) inoculadas sobre lamínulas de vidro. O tamanho e a distância entre os biofilmes foram estudados por imagens de microscopia óptica; e uma análise fractal foi realizada usando conceitos de escala e imagens de AFM. Observamos que b
Publicado em: 2011
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3. Sondagem direta de titanato de bário semicondutorpor meio de microscopia de força eletrostática
A microscopia de força eletrostática (EFM) foi usada para sondagem direta do potencial na superfície do titanato de bário dopado, o qual é cerâmica semicondutora. As medidas de EFM foram realizadas no modo não contato, mantendo a distância ponta-amostra de 75 nm constante, mas variando a voltagem bias aplicada à amostra de zero a 10 V. A distribuiç
Cerâmica. Publicado em: 2007-06
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4. Adsorção de bifenil na superfície de Si (001) por um método de primeiros princípios
Nesse trabalho fazemos um estudo da adsorção de moléculas de bifenil sobre a superfície de silício crescida na direção (001). Utilizamos cálculos de primeiros princípios (ab initio), dentro do formalismo da Teoria do Funcional de Densidade (DFT). Dentro do formalismo da DFT, utilizamos aproximação da densidade local (LDA) e aproximação de gradie
Publicado em: 2007
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5. First Principle Study of Adsorption Mechanism of O2 Molecule on CdTe(110) Surface / Estudo de Primeiros Princípios do Mecanismo de Adsorção da Molécula de O2 sobre a Superfície de CdTe(110)
Utilizando a Teoria do Funcional da Densidade junto com o formalismo do pseudopotencial de primeiros princípios, realizamos um estudo sistemático do processo de adsorção da molécula de oxigênio sobre a superfície livre de CdTe (110) nas reconstruções 1x1, 1x2 e 2x1. Este estudo consistiu na determinação das adsorções energeticamente favoráveis
Publicado em: 2005
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6. MBE growth and characterization of films SnTe layers and SnTe/Sn1-x EuxTe heterostructures on BaF2 / Crescimento por MBE e caracterização de filmes SnTe e heteroestruturas de SnTe/Sn1-x EuxTe sobre BaF2
Este trabalho tem por objetivo a investigação sistemática das propriedades estruturais e elétricas de filmes epitaxiais de SnTe crescidos sobre substratos de BaF2 (111), bem como o estudo das propriedades estruturais de filmes de Sn1-xEuxTe (0<xEu=0,12) crescidos sobre camadas intermediárias de SnTe pré-depositadas sobre substratos de BaF2 (111). As
Publicado em: 2005
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7. Geometria, Estabilidade e Estrutura Eletrônica das Superfícies GaAs(001): Te e InAs(001): Te / Geometry, stability and electronic structure of GaAs surfaces (001): Te and InAs (001): Te
Estudamos a adsorção de Te em superfícies de GaAs(001) e InAs(001) com periodicidades 1x1, 1x2, 2x1 e 2x2, para as concentrações de telúrio Tc= 0, 1/4, 1/2, 3/4 e 1. Realizamos cálculos dentro do formalismo do funcional da densidade empregando pseudopotenciais de norma conservada. Para a relaxação das estruturas empregamos a dinâmica molecular de C
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/03/1998