Transistores Modelagem
Mostrando 1-12 de 14 artigos, teses e dissertações.
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1. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): Princípios de operação e características eletrônicas
O ensino de física dos dispositivos semicondutores é absolutamente fundamental para o desenvolvimento da microeletrônica. Contudo, cursos introdutórios nesta área muitas vezes se limitam a apresentar modelos analíticos excessivamente simplificados, que possibilitam uma compreensão intuitiva, mas incapazes de captar toda a complexidade dos dispositivos
Rev. Bras. Ensino Fís.. Publicado em: 2015-12
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2. Double-gate nanotransistors in silicon-on-insulator : simulation of sub-20 nm FinFETs / Nano-transistores de porta dupla em silício sobre isolante simulação de FinFETs sub-20nm
Esta Tese apresenta os resultados da simulação do transporte eletrônico em três dimensões (3D) no nano dispositivo eletrônico conhecido como ¿SOI-FinFET¿. Este dispositivo é um transistor MOS em tecnologia Silício sobre Isolante ¿ ¿Silicon-on- Insulator¿, SOI ¿ com porta dupla e cujo canal e zonas de fonte e dreno são realizadas em uma estrutu
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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3. Amplificador de Instrumentação em Modo Corrente com entrada e saída Rail-to-Rail / Current Mode Instrumentation Amplifier with Rail-to-Rail Input and Output
Esta dissertação tem como objetivo o desenvolvimento de um amplificador de instrumentação em modo corrente com uma ampla faixa de entrada em modo comum. Esta característica é obtida graças ao emprego de estágios de amplificação rail-to-rail na entrada e a geração do sinal de saída através do espelhamento da corrente diretamente dos gates dos tr
Publicado em: 2009
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4. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS. / Analog performance of dynamic threshold voltage SOI MOSFET.
This work presents the study of analog performance parameters of PDSOI (Partially-depleted) transistor in comparison with a Dynamic Threshold MOS transistor (DTMOS). The DTMOS is a partially-depleted device with dynamic threshold voltage. This variation of threshold voltage is obtained when the gate is connected to the silicon film (channel) of the PDSOI dev
Publicado em: 2009
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5. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas. / Modeling, simulation and fabrication of analog circuits with standard and graded-channel SOI transistors operating at cryogenic temperatures.
Neste trabalho apresentamos a análise do comportamento analógico de transistores MOS implementados em tecnologia Silício sobre Isolante (SOI), de canal gradual (GC) e com tensão mecânica aplicada ao canal, operando em baixas temperaturas (de 380 K a 90 K), em comparação com dispositivos SOI convencionais. Este estudo foi realizado utilizando-se medida
Publicado em: 2008
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6. Leakage current modeling in sub-micrometer CMOS complex gates / Modelagem de corrente de fugas em portas lógicas CMOS submicrométricas
Para manter o desempenho a uma tensão de alimentação reduzida, a tensão de threshold e as dimensões dos transistores têm sido reduzidas por décadas. A miniaturização do transistor para tecnologias sub-100nm resulta em um expressivo incremento nas correntes de fuga, tornando-as parte significativa da potencia total, alcançando em muitos casos 30-50%
Publicado em: 2008
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7. Automação do projeto de módulos CMOS analógicos usando associações trapezoidais de transistores / Analog CMOS modules design automation using trapezoidal associations of transistors
A metodologia de projeto semi-customizado usando associações trapezoidais de transistores (TATs) é especialmente viável para o projeto de circuitos integrados mistos analógico- digitais. Vários trabalhos foram desenvolvidos demonstrando exemplos de aplicações que geraram bons resultados utilizando esta metodologia. Entretanto, ficou evidente a falta
Publicado em: 2008
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8. Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS / Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS
Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de 80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionais.
Publicado em: 2008
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9. Modelo do descasamento (mismatch) entre transistores MOS / Mismatch model for MOS transistors
Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de ’80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionai
Publicado em: 2008
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10. Uma metodologia analítico-determinística para a avaliação de desempenho no tempo de processadores de rede implementados como sistemas-sobre-silício. / An analytical deterministic methodology for the performance evaluation of network processors deployed as systems-on-chip.
O grande aumento da capacidade de integração de transistores em um único circuito integrado tem exigido grande e constante evolução na metodologia de projeto e práticas de implementação de sistemas eletrônicos embarcados. Tal capacidade de integração resultou no surgimento de sistemas sobre silício (SoCs). O projeto de tais sistemas, mais complex
Publicado em: 2007
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11. Modelagem e projeto de módulos amplificadores e comparadores em tecnologia CMOS 0,35um / Analysis and design of amplifiers and comparators modules in cmos 0.35um technology
Diferente do projeto de sistemas digitais, no qual as técnicas de projeto e ferramentas CAD vêm apresentando uma crescente evolução acompanhada da redução de seus preços, o projeto de sistemas analógicos CMOS ainda apresenta uma forte correlação com a experiência do projetista. Dentro deste contexto, importantes fatores como caracterização de te
Publicado em: 2007
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12. Arquiteturas multi-tarefas simultâneas : SEMPRE : arquitetura SMT com capacidade de execução e escalonamento de processos
O avanço tecnológico no projeto de microprocessadores, nos recentes anos, tem seguido duas tendências principais. A primeira tenta aumentar a freqüência do relógio dos mesmos usando componentes digitais e técnicas VLSI mais eficientes. A segunda tenta explorar paralelismo no nível de instrução através da reorganização dos seus componentes intern
Publicado em: 2007